永井 秀一 | パナソニック株式会社先端技術研究所

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概要

• 同名の論文著者
• パナソニック株式会社先端技術研究所の論文著者

関連著者

• 永井 秀一

  パナソニック株式会社先端技術研究所

• 田中 毅

  パナソニック株式会社

• 田中 毅

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 上田 哲三

  パナソニック株式会社

• 田中 毅

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 上田 哲三

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 上田 大助

  パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所

• 田中 毅

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 上田 大助

  パナソニック株式会社

• 酒井 啓之

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 永井 秀一

  パナソニック ボストン研究所

• 上田 哲三

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 酒井 啓之

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 永井 秀一

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 田中 毅

  松下電器(株)半導体デバイス研究センター

• 上田 哲三

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 柳原 学

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 上田 大助

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 石田 秀俊

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 西嶋 将明

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 西嶋 将明

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 石田 秀俊

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• LI Ming

  パナソニック ボストン研究所

• 石田 秀俊

  パナソニック株式会社

• 柳原 学

  パナソニック株式会社

• 福田 健志

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 根来 昇

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 上本 康裕

  パナソニック株式会社

• 福田 健志

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 大塚 信之

  パナソニック株式会社先端技術研究所

• 松尾 尚慶

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 上本 康裕

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 柴田 大輔

  パナソニック(株)セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 黒田 正行

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 村田 智洋

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 永井 秀一

  Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company

• LI Ming

  Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company

• 柴田 大輔

  松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター

• 柴田 大輔

  パナソニック株式会社

• 松尾 尚慶

  パナソニック株式会社

• Li Ming

  Panasonic Boston Laboratory Panasonic Technologies Company

• 大塚 信之

  松下電器半導体センター

• Otsuka Nobuyuki

  Advanced Technology Research Laboratories Matsushita Electric Industrial Co. Ltd.

• 上田 哲三

  パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター

• 西嶋 将明

  パナソニック セミコンダクター社 半導体デバイス研究セ

• 西嶋 将明

  松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター

• 根来 昇

  パナソニック株式会社

• 八幡 和宏

  松下電器産業半導体研究センター

• 八幡 和宏

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 河井 康史

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 福田 健志

  パナソニック 先端技研

• 根来 昇

  パナソニック株式会社半導体デバイス開発センター

• 上田 大助

  パナソニック株式会社本社R&D部門先端技術研究所

• 井上 薫

  パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所

• 村田 智洋

  松下電器産業(株)

• 宇治田 信二

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 河井 康文

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 根来 昇

  松下電器産業株式会社 半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター

• 西嶋 将明

  松下電子工業株式会社 半導体デバイス研究センター

• 宇治田 信二

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 井上 薫

  松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター

• Otsuka Nobuyuki

  Semiconductor Research Center Matsushita Electric Industrial Co. Ltd.

• Otsuka Nobuyuki

  Telecommunications Advancement Organization Of Japan Sendai Research Center

• 井上 薫

  パナソニック株式会社 先端技術研究所

• 村田 智洋

  パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター

• 村田 智洋

  パナソニック株式会社

• 黒田 正行

  パナソニック株式会社セミコンダクター社ディスクリート事業本部ディスクリート開発センター

• 井上 薫

  パナソニック株式会社本社R&D部門先端技術研究所

• 黒田 正行

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• Li Ming.

  Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company

• 黒田 正行

  Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company

• 谷川 達也

  パナソニック(株)セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター

• 井腰 文智

  パナソニック株式会社

• 水谷 研治

  松下電器産業(株) BIU

• 水谷 研治

  松下電器産業(株)先端技術研究所

• 按田 義治

  松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター

• 上野 弘明

  松下電器産業株式会社 半導体デバイス研究センター

• 大西 俊一

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 谷川 達也

  松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター

• 按田 義治

  松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 井上 薫

  パナソニック株式会社先端技術研究所

• 大西 俊一

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 按田 義治

  パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター

• 水谷 研治

  松下電器産業(株)中央研究所

• 上野 弘明

  パナソニック株式会社先端技術研究所

• 水谷 研治

  パナソニック株式会社先端技術研究所

• 工藤 祐治

  パナソニック株式会社先端技術研究所

• 按田 義治

  パナソニック株式会社

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著作論文

• 2.5Gcpsスペクトル拡散変調を用いた26GHz帯自動車用短距離UWBレーダ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• サファイア基板上準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC
• サファイア基板へのビアホールを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET
• CS-9-6 サファイア基板へのビアを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
• C-10-14 サファイア上マイクロストリップ線路を用いた準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
• 10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• C-10-3 高周波信号用ビアを有するサファイア基板上GaN MMICのチップサイズパッケージ(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 2.5Gcpsスペクトル拡散変調を用いた26GHz帯自動車用短距離UWBレーダ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• CS-4-6 BCB平坦化構造を有する12.5Gbps動作850nm帯面発光レーザ(CS-4. 応用分野が広がる面発光レーザ(VCSEL)技術の最新動向, エレクトロニクス1)
• C-10-6 10Gb/s光通信用InGaP/GaAs HBTチップセット(C-10.電子デバイス)
• 10Gb/s光通信用InGaP/GaAs HBTチップセット(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 10Gb/s光通信用InGaP/GaAs HBTチップセット(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• B-9-6 フレーム直接接続型両面放熱面実装インバータパッケージ(B-9.電子通信エネルギー技術,一般セッション)
• 準ミリ波長距離伝送に向けた低コスト基板上GaNデバイス(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• C-10-5 統合設計プラットフォームにおけるGaNデバイスの動的挙動モデル(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• マイクロ波駆動技術を用いた絶縁型ゲート駆動回路(先端テクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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• マイクロ波駆動技術を用いた絶縁型ゲート駆動回路

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