西嶋 将明 | 松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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概要
関連著者
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西嶋 将明
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
パナソニック セミコンダクター社 半導体デバイス研究セ
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西嶋 将明
松下電子工業株式会社 半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
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田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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田中 毅
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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田中 毅
パナソニック株式会社
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田中 毅
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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村田 智洋
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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酒井 啓之
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
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西嶋 将明
松下電子工業株式会社半導体社
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パナソニック株式会社
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黒田 正行
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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酒井 啓之
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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パナソニック株式会社
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田中 毅
松下電器(株)半導体デバイス研究センター
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村田 智洋
松下電器産業(株)
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根来 昇
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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上田 大助
パナソニック株式会社
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永井 秀一
パナソニック株式会社先端技術研究所
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石川 修
松下電器産業(株)半導体社 アナログlsi事業部
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上田 大助
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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石田 秀俊
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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中澤 敏志
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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尹 榮
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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根来 昇
松下電器産業株式会社 半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
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尹 榮
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
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柳原 学
パナソニック株式会社
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國久 武人
松下電子工業
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松下電器産業 半導体社 事業本部ディスクリート事業部
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石川 修
松下電子工業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
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山本 真司
松下電子工業株式会社半導体社
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小杉 裕昭
松下電器産業株式会社デバイス・エンジニアリング開発センター
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國久 武人
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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山本 真司
工学院大
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石川 修
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
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小杉 裕昭
松下電器産業株式会社 デバイス・エンジニアリング開発センター
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小杉 裕昭
松下電器産業
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横山 隆弘
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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中澤 敏志
パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
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横山 隆弘
松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター
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村田 智洋
パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
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村田 智洋
パナソニック株式会社
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黒田 正行
パナソニック株式会社セミコンダクター社ディスクリート事業本部ディスクリート開発センター
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上田 哲三
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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井上 薫
パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所
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柳原 学
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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上本 康裕
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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上田 大助
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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西辻 充
松下電子工業(株)電子総合研究所
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上田 大助
松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センタ 化合物半導体研究部
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西辻 充
松下電子工業
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瀧澤 俊幸
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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上野 伴希
松下電器産業株式会社部品デバイス研究センタ材料部品研究所
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永井 秀一
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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引田 正洋
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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井上 薫
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
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廣瀬 裕
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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横山 隆弘
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
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引田 正洋
パナソニック株式会社
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西井 勝則
松下電子工業株式会社 電子総合研究所
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松下電器産業株式会社半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
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西辻 充
松下電器産業半導体研究センター
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池田 光
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池田 光
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上本 康裕
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按田 義治
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
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廣瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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石田 薫
松下電器産業株式会社 デバイス・エンジニアリング開発センター
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広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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池田 光
松下通信工業
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上野 伴希
松下電器産業株式会社 先端技術研究所
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上野 伴希
松下電器産業(株)
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井上 薫
松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
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按田 義治
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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西井 勝則
松下電器
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上田 哲三
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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按田 義治
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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按田 義治
パナソニック株式会社
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上田 哲三
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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福田 健志
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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田中 毅
松下電子工業株式会社電子総合研究所
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柳原 学
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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黒田 正行
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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LI Ming
Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company
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永井 秀一
パナソニック ボストン研究所
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LI Ming
パナソニック ボストン研究所
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松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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皆川 克也
松下電器産業(株) 半導体社 高周波半導体開発センター
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信定 俊英
松下電器産業(株) 半導体社 高周波半導体開発センター
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Li Ming
Panasonic Boston Laboratory Panasonic Technologies Company
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福田 健志
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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宇治田 信二
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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柳原 学
松下電子工業株式会社 電子総合研究所
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田中 毅
松下電子工業 電子総研
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鶴見 直大
北海道大学工学研究科電子情報工学専攻及び量子界面エレクトロニクス研究センター
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勝野 元成
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
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石田 昌宏
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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瀧澤 俊幸
パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
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石田 昌宏
パナソニック株式会社
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鶴見 直大
パナソニック株式会社半導体デバイス研究センター
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鶴見 直大
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
-
上田 大助
パナソニック株式会社本社R&D部門先端技術研究所
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石井 基範
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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石川 修
松下電器(株) アナログlsi事業部
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前田 昌宏
松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター
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山田 徹
松下電器産業株式会社PE技術開発室
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永井 秀一
Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company
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黒田 正行
Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company
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中澤 敏志
松下電器産業(株)半導体社
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坂倉 真
松下電器産業(株)材料デバイス研究所
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國久 武人
松下電器産業株式会社半導体研究センター
-
瀧澤 俊幸
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
滝波 浩二
松下電器産業株式会社デバイス・エンジニアリング開発センター
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太田 都朗
松下日東電器株式会社
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北沢 祥一
松下日東電器株式会社
-
北沢 祥一
松下日東電器(株)技術部
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山田 徹
松下電器産業株式会社システムエンジニアリングセンター
-
石井 基範
松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究所センター
-
横山 隆弘
松下電器産業株式会社半導体研究センター
-
藤本 裕雄
松下電器産業株式会社半導体研究センター
-
坂倉 真
松下電器産業(株)
-
坂倉 真
松下電器産業 デバイス・エンジニアリング開セ
-
瀧澤 俊幸
松下電器産業(株)半導体デバイス研究センター
-
山田 徹
松下電器産業(株)PE技術開発室
-
滝波 浩二
パナソニック株式会社デバイスソリューションセンター
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根来 昇
パナソニック株式会社
著作論文
- In-situ SiNをゲート絶縁膜に用いたAlGaN/GaN MIS-HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 2.5Gcpsスペクトル拡散変調を用いた26GHz帯自動車用短距離UWBレーダ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- サファイア基板上準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC
- C-10-14 サファイア上マイクロストリップ線路を用いた準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- SC-10-5 チップサイズパッケージを用いた準ミリ波帯完全集積化MMIC技術(SC-10.無線通信・レーダセンサの世界を拓くミリ波デバイス・回路と関連技術)
- チップサイズパッケージを用いた完全集積化MMIC技術
- チップサイズパッケージを用いた完全集積化Kバンド広帯域MMIC増幅器
- C-10-10 in-situ SiN膜を用いたAlGaN/GaN MIS型HFET(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器
- C-2-9 5GHz帯小型無線モジュール
- ETC用5.8GHz帯単一電源パワーMMIC
- 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器(ミリ波技術/一般)
- 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器(ミリ波技術/一般)
- C-10-3 高周波信号用ビアを有するサファイア基板上GaN MMICのチップサイズパッケージ(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- In-situ SiNをゲート絶縁膜に用いたAlGaN/GaN MIS-HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 2.5Gcpsスペクトル拡散変調を用いた26GHz帯自動車用短距離UWBレーダ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- ETC用5.8GHz帯単一電源パワーMMIC
- ETC用5.8GHz帯単一電源パワーMMIC
- 1.9GHz帯パワーHBT MMIC
- 拡張ロードプル法を用いた広負荷インピーダンス対応低歪み・高効率GaAs電力増幅器MMICの設計
- 拡張ロードプル法を用いた広負荷インピーダンス対応低歪み・高効率GaAs電力増幅器MMICの設計
- 拡張ロードプル法を用いた広負荷インピーダンス対応低歪み・高効率GaAs電力増幅器MMICの設計
- SC-10-5 チップサイズパッケージを用いた準ミリ波帯完全集積化MMIC技術(SC-10.無線通信・レーダセンサの世界を拓くミリ波デバイス・回路と関連技術)
- チップサイズパッケージを用いた完全集積化Kバンド広帯域MMIC増幅器
- 移動体通信低電圧GaAsパワーMMICs
- SC-7-6 温特補償バイアス回路を有するW-CDMA用 高効率 HBT MMIC
- 準ミリ波長距離伝送に向けた低コスト基板上GaNデバイス(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力・高利得化に向けたフィールドプレート設計(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力・高利得化に向けたフィールドプレート設計(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)