LI Ming | Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company

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概要

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著作論文

サファイア基板上準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC
C-10-14 サファイア上マイクロストリップ線路を用いた準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
High Breakdown Voltage of 10400V in AlGaN/GaN HFET with AlN passivation(Session6: Power Devices)
High Breakdown Voltage of 10400V in AlGaN/GaN HFET with AlN passivation(Session6: Power Devices)
AlGaN/GaN-based Millimeter Wave Monolithic ICs with Laser-Drilled Via-holes Through Sapphire(Session9B: GaN and SiC Device Process Technology)
AlGaN/GaN-based Millimeter Wave Monolithic ICs with Laser-Drilled Via-holes Through Sapphire(Session9B: GaN and SiC Device Process Technology)

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