サファイア基板上準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC
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概要
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サファイア基板上にAlGaN/GaN HFETとマイクロストリップ線路からなる整合回路を集積化した準ミリ波帯増幅器MMICを開発した。高出力パルスレーザーを用いたサファイア基板へのビアホール加工技術を開発することで、マイクロストリップ線路ベースMMICの設計を可能にした。集積したFETは、MOCVD成長装置において結晶成長後に連続成長した、いわゆるin-situ SiN膜をゲート絶縁膜とするMIS型AlGaN/GaN HFET(f_<max>=203GHz)である。試作したMMICは3段構成で、26GHzで22dB(3dB帯域幅4GHz)を示し、我々が以前報告したコプレーナ線路ベースの2段増幅器MMICに比べ、設計自由度と周波数特性の大幅な向上を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-08-21
著者
-
上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
酒井 啓之
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
上田 哲三
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
柳原 学
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
村田 智洋
松下電器産業(株)
-
田中 毅
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
石田 秀俊
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
黒田 正行
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
村田 智洋
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
西嶋 将明
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
黒田 正行
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
永井 秀一
Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company
-
西嶋 将明
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
石田 秀俊
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
酒井 啓之
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
LI Ming
Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company
-
LI Ming
パナソニック ボストン研究所
-
田中 毅
パナソニック株式会社
-
石田 秀俊
パナソニック株式会社
-
上田 哲三
パナソニック株式会社
-
Li Ming
Panasonic Boston Laboratory Panasonic Technologies Company
-
田中 毅
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
柳原 学
パナソニック株式会社
-
永井 秀一
パナソニック株式会社先端技術研究所
-
田中 毅
松下電器(株)半導体デバイス研究センター
-
西嶋 将明
パナソニック セミコンダクター社 半導体デバイス研究セ
-
西嶋 将明
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
-
上田 哲三
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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