AlNバッファを用いたAlGaN/GaN/AlGaNダブルヘテロFETの高耐圧化(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
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概要
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GaN系化合物半導体は大きな絶縁破壊電界、飽和ドリフト速度等の優れた材料物性を有しており、高耐圧パワースイッチング素子への応用が期待されている。しかしながら、実用化へ向けては、さらなるリーク電流の低減、耐圧向上が必要である。今回我々は、これらの課題を解決するために、従来のAlGaN/GaNシングルヘテロ(SH)構造に代わりAlGaN/GaN/AlGaNダブルヘテロ(DH)構造を用いた電界効果トランジスタを検討した。バッファ層をAlNとして下地をGaNフリー構造とすることでリーク電流の大幅な低減と高耐圧化を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-01-10
著者
-
上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
上田 哲三
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
上野 弘明
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
松尾 尚慶
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
パナソニック株式会社
-
松尾 尚慶
パナソニック株式会社
-
上田 哲三
パナソニック株式会社
-
上野 弘明
松下電器産業株式会社 半導体デバイス研究センター
-
上田 哲三
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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