GaN-GIT双方向スイッチの高精度な等価回路モデル(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
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概要
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GaN-Gate Injection Transistor(GIT)双方向スイッチは従来のスイッチング素子と比較して低オン抵抗化が可能かつ,電圧変換器等の回路応用時に素子数低減,回路損失低減が期待できる.本研究では,この素子を用いた回路を設計する際に必要となる等価回路モデルを提案した.この素子は4端子素子だが,等価回路モデルでは+電流側のゲートをONしてもう一方のゲートをスイッチングさせることを想定し,1つのゲートと2つのソース端子による3端子モデルとした.モデル内の寄生素子は1つの電流源,3つの容量で構成し,それらのパラメータをスイッチング特性から抽出することでモデルを高精度化した.このモデルからチョッパー回路におけるスイッチング波形および損失を解析し,実験値と比較した損失の計算精度は90%以上であった.
- 2011-11-10
著者
-
上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
森田 竜夫
パナソニック株式会社
-
田中 毅
パナソニック株式会社
-
上田 哲三
パナソニック株式会社
-
沈 旭強
産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
-
井手 利英
産業技術総合研究所
-
田中 毅
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
清水 三聡
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
田中 毅
松下電器(株)半導体デバイス研究センター
-
森田 竜夫
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
沈 旭強
産業技術総合研究所
-
清水 三聡
産業技術総合研究所
-
森田 竜夫
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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