森田 竜夫 | 松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
森田 竜夫
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
森田 竜夫
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
-
上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
森田 竜夫
パナソニック株式会社
-
上田 哲三
パナソニック株式会社
-
田中 毅
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
パナソニック株式会社
-
田中 毅
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電器(株)半導体デバイス研究センター
-
上田 哲三
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
中澤 敏志
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
中澤 敏志
松下電器産業(株)半導体社
-
森田 竜夫
松下電器産業(株)半導体社
-
上田 哲三
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
-
上田 大助
パナソニック株式会社
-
柴田 大輔
パナソニック(株)セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
石田 秀俊
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
村田 智洋
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
海原 一裕
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
石田 秀俊
パナソニック株式会社
-
按田 義治
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
-
沈 旭強
産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
-
井手 利英
産業技術総合研究所
-
清水 三聡
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
按田 義治
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
石田 昌宏
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
-
按田 義治
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
-
山田 康博
パナソニック株式会社
-
石田 昌宏
パナソニック株式会社
-
沈 旭強
産業技術総合研究所
-
村田 智洋
パナソニック株式会社
-
清水 三聡
産業技術総合研究所
-
按田 義治
パナソニック株式会社
-
海原 一裕
パナソニック株式会社
-
梅田 英和
パナソニック株式会社
-
梅田 英和
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
松尾 尚慶
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
上田 大助
パナソニック株式会社本社R&D部門先端技術研究所
-
柳原 学
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
上本 康裕
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
井腰 文智
パナソニック株式会社
-
清水 順
パナソニック株式会社
-
引田 正洋
パナソニック株式会社
-
松尾 尚慶
パナソニック株式会社
-
上本 康裕
パナソニック株式会社
-
柳原 学
パナソニック株式会社
-
上田 哲三
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
-
村田 智洋
パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
著作論文
- ノーマリオフ型GITを集積化したワンチップGaNインバータIC
- セルフアラインプロセスにより作製したGaN系縦型トランジスタ
- C-10-15 セルフアラインプロセスにより作製したGaN系縦型トランジスタ(C-10.電子デバイス,一般講演)
- セルフアラインプロセスにより作製した大電流GaN系縦型電界効果トランジスタ,AWAD2006)
- 高効率ワンチップGaNインバータIC (特集 環境革新技術)
- セルフアラインプロセスにより作製した大電流GaN系縦型電界効果トランジスタ
- セルフアラインプロセスにより作製した大電流GaN系縦型電界効果トランジスタ
- GaN-GIT双方向スイッチの高精度な等価回路モデル(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- GaN-GIT双方向スイッチの高精度な等価回路モデル(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- GaN-GIT双方向スイッチの高精度な等価回路モデル(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- P型障壁制御層を有する低リーク電流GaNマルチジャンクションダイオード
- P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)