中澤 敏志 | 松下電器産業(株)半導体社
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概要
関連著者
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上田 哲三
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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中澤 敏志
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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中澤 敏志
松下電器産業(株)半導体社
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上田 哲三
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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江川 孝志
名古屋工業大学
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上田 哲三
パナソニック株式会社
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森田 竜夫
松下電器産業(株)半導体社
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森田 竜夫
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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森田 竜夫
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
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井上 薫
パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所
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瀧澤 俊幸
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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井上 薫
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
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瀧澤 俊幸
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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井上 薫
松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
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瀧澤 俊幸
松下電器産業(株)半導体デバイス研究センター
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森田 竜夫
パナソニック株式会社
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柳原 学
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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村田 智洋
松下電器産業(株)
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田中 毅
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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黒田 正行
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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村田 智洋
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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黒田 正行
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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田中 毅
パナソニック株式会社
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上本 康裕
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
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上田 大助
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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石田 秀俊
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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石田 秀俊
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
引田 正洋
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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引田 正洋
パナソニック株式会社
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石田 秀俊
パナソニック株式会社
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上田 大助
パナソニック株式会社
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上本 康裕
パナソニック株式会社
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田中 毅
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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柳原 学
パナソニック株式会社
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西嶋 将明
パナソニック セミコンダクター社 半導体デバイス研究セ
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西嶋 将明
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
著作論文
- 格子整合系六方晶InAlGaN四元混晶の禁制帯幅とボウイング定数(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- パワースイッチングシステム応用に向けてのAlGaN/GaNデバイス
- C-10-10 in-situ SiN膜を用いたAlGaN/GaN MIS型HFET(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタ(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタ(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタ(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 格子整合系六方晶InAlGaN四元混晶の禁制帯幅とボウイング定数(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-19 InAlGaNキャップ層を有するAlGaN/GaN HFETによるオーミックコンタクト抵抗の低減(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- セルフアラインプロセスにより作製したGaN系縦型トランジスタ
- C-10-15 セルフアラインプロセスにより作製したGaN系縦型トランジスタ(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-12 AlGaN/GaNヘテロ構造上にin-situ成膜した結晶状SiN極薄膜の評価(C-10.電子デバイス,一般講演)
- セルフアラインプロセスにより作製した大電流GaN系縦型電界効果トランジスタ,AWAD2006)
- セルフアラインプロセスにより作製した大電流GaN系縦型電界効果トランジスタ
- セルフアラインプロセスにより作製した大電流GaN系縦型電界効果トランジスタ