中澤 敏志 | 松下電器産業(株)半導体社

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概要

• 同名の論文著者
• 松下電器産業(株)半導体社の論文著者

関連著者

• 上田 哲三

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 中澤 敏志

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 中澤 敏志

  松下電器産業(株)半導体社

• 上田 哲三

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 田中 毅

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 上田 哲三

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学

• 上田 哲三

  パナソニック株式会社

• 森田 竜夫

  松下電器産業(株)半導体社

• 森田 竜夫

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 森田 竜夫

  パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 石川 博康

  名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻

• 井上 薫

  パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所

• 瀧澤 俊幸

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 井上 薫

  松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 瀧澤 俊幸

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 井上 薫

  松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター

• 瀧澤 俊幸

  松下電器産業(株)半導体デバイス研究センター

• 森田 竜夫

  パナソニック株式会社

• 柳原 学

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 村田 智洋

  松下電器産業(株)

• 田中 毅

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 黒田 正行

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 村田 智洋

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 黒田 正行

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 田中 毅

  パナソニック株式会社

• 上本 康裕

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 上田 大助

  パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所

• 上田 大助

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 石田 秀俊

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 西嶋 将明

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 西嶋 将明

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 石田 秀俊

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 引田 正洋

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 引田 正洋

  パナソニック株式会社

• 石田 秀俊

  パナソニック株式会社

• 上田 大助

  パナソニック株式会社

• 上本 康裕

  パナソニック株式会社

• 田中 毅

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 柳原 学

  パナソニック株式会社

• 西嶋 将明

  パナソニック セミコンダクター社 半導体デバイス研究セ

• 西嶋 将明

  松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター

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著作論文

• 格子整合系六方晶InAlGaN四元混晶の禁制帯幅とボウイング定数(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• パワースイッチングシステム応用に向けてのAlGaN/GaNデバイス
• C-10-10 in-situ SiN膜を用いたAlGaN/GaN MIS型HFET(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
• GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタ(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタ(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタ(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 格子整合系六方晶InAlGaN四元混晶の禁制帯幅とボウイング定数(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• C-10-19 InAlGaNキャップ層を有するAlGaN/GaN HFETによるオーミックコンタクト抵抗の低減(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
• セルフアラインプロセスにより作製したGaN系縦型トランジスタ
• C-10-15 セルフアラインプロセスにより作製したGaN系縦型トランジスタ(C-10.電子デバイス,一般講演)
• C-10-12 AlGaN/GaNヘテロ構造上にin-situ成膜した結晶状SiN極薄膜の評価(C-10.電子デバイス,一般講演)
• セルフアラインプロセスにより作製した大電流GaN系縦型電界効果トランジスタ,AWAD2006)
• セルフアラインプロセスにより作製した大電流GaN系縦型電界効果トランジスタ
• セルフアラインプロセスにより作製した大電流GaN系縦型電界効果トランジスタ

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