黒田 正行 | パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
黒田 正行
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
パナソニック株式会社
-
上田 哲三
パナソニック株式会社
-
上田 哲三
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
上田 哲三
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
黒田 正行
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
村田 智洋
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
西嶋 将明
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
西嶋 将明
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
西嶋 将明
パナソニック セミコンダクター社 半導体デバイス研究セ
-
石田 秀俊
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
石田 秀俊
パナソニック株式会社
-
田中 毅
松下電器(株)半導体デバイス研究センター
-
石田 秀俊
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
柳原 学
パナソニック株式会社
-
黒田 正行
パナソニック株式会社セミコンダクター社ディスクリート事業本部ディスクリート開発センター
-
酒井 啓之
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
柳原 学
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
村田 智洋
松下電器産業(株)
-
中澤 敏志
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
永井 秀一
パナソニック株式会社先端技術研究所
-
上田 哲三
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
-
村田 智洋
パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
-
村田 智洋
パナソニック株式会社
-
瀧澤 俊幸
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
西嶋 将明
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
-
尾鍋 研太郎
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
-
上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
-
柳原 学
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
尾鍋 研太郎
東京大学
-
白木 靖寛
東京大学
-
片山 竜二
東京大学大学院新領域創成科学研究科 物質系専攻
-
黒田 正行
東京大学大学院新領域創成科学研究科 物質系専攻
-
白木 靖寛
東京大学工学系研究科量子相エレクトロニクス研究センタ
-
片山 竜二
東大新領域
-
片山 竜二
東京大学大学院新領域創成科学研究科
-
酒井 啓之
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
LI Ming
Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company
-
永井 秀一
パナソニック ボストン研究所
-
LI Ming
パナソニック ボストン研究所
-
中澤 敏志
松下電器産業(株)半導体社
-
上田 大助
パナソニック株式会社
-
Li Ming
Panasonic Boston Laboratory Panasonic Technologies Company
-
尾鍋 研太郎
東大
-
黒田 正行
東京大学大学院新領域創成科学研究科物質系専攻
-
中澤 敏志
パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
-
瀧澤 俊幸
パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
-
林 慶寿
名古屋大学工学研究科
-
岸本 茂
名古屋大学工学研究科
-
水谷 孝
名古屋大学工学研究科
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
上田 大助
パナソニック株式会社本社R&D部門先端技術研究所
-
井上 薫
パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所
-
上本 康裕
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
上田 大助
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
根来 昇
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
永井 秀一
Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company
-
黒田 正行
Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company
-
永井 秀一
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
引田 正洋
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
井上 薫
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
引田 正洋
パナソニック株式会社
-
瀧澤 俊幸
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
杉浦 俊
名古屋大学工学研究科
-
上本 康裕
パナソニック株式会社
-
按田 義治
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学
-
井上 薫
松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
-
按田 義治
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
杉浦 俊
名古屋大学
-
按田 義治
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
-
瀧澤 俊幸
松下電器産業(株)半導体デバイス研究センター
-
水谷 孝
名古屋大学
-
岸本 茂
名古屋大学
-
按田 義治
パナソニック株式会社
-
岸本 茂
名大院工
-
根来 昇
パナソニック株式会社
著作論文
- In-situ SiNをゲート絶縁膜に用いたAlGaN/GaN MIS-HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 立方晶GaN/GaAs(001)ヘテロ構造の光バイアスエレクトロリフレクタンス(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- サファイア基板上準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC
- C-10-14 サファイア上マイクロストリップ線路を用いた準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- C-10-11 無極性a面AlGaN/GaNヘテロ接合におけるシートキャリア濃度制御(C-10.電子デバイス,一般講演)
- パワースイッチングシステム応用に向けてのAlGaN/GaNデバイス
- 無極性(11-20)面上に形成されたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタのノーマリオフ動作(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-10 in-situ SiN膜を用いたAlGaN/GaN MIS型HFET(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- C-10-3 高周波信号用ビアを有するサファイア基板上GaN MMICのチップサイズパッケージ(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- HfO_2をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価・解析
- In-situ SiNをゲート絶縁膜に用いたAlGaN/GaN MIS-HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 立方晶GaN/GaAs(001)ヘテロ構造の光バイアスエレクトロリフレクタンス(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 無極性(11-20)面上に形成したノーマリオフ動作AlGaN/GaN MIS型ヘテロ接合トランジスタ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 無極性(11-20)面上に形成したノーマリオフ動作AlGaN/GaN MIS型ヘテロ接合トランジスタ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 無極性(11-20)面上に形成したノーマリオフ動作AlGaN/GaN MIS型ヘテロ接合トランジスタ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- C-10-10 無極性a面上ノーマリオフ型AlGaN/GaN MIS-HFET(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 無極性(11-20)面上に形成されたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタのノーマリオフ動作(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 準ミリ波長距離伝送に向けた低コスト基板上GaNデバイス(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)