片山 竜二 | 東大新領域

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概要

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関連著者

• 片山 竜二

  東大新領域

• 尾鍋 研太郎

  東京大学

• 白木 靖寛

  東京大学

• 白木 靖寛

  東京大学工学系研究科量子相エレクトロニクス研究センタ

• 尾鍋 研太郎

  東大

• 片山 竜二

  東京大学大学院新領域創成科学研究科 物質系専攻

• 片山 竜二

  東京大学大学院新領域創成科学研究科

• 尾鍋 研太郎

  東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻

• 黒田 正行

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 西川 敦

  東京大学新領域創成科学研究科物質系専攻

• 黒田 正行

  東京大学大学院新領域創成科学研究科 物質系専攻

• 片山 竜二

  東京大学新領域創成科学研究科物質系専攻

• 尾鍋 研太郎

  東京大学新領域創成科学研究科物質系専攻

• 黒田 正行

  東京大学大学院新領域創成科学研究科物質系専攻

• 原 真二郎

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 尾鍋 研太郎

  東大新領域

• 中村 照幸

  東大新領域

• 原 真二郎

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

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著作論文

• RF-MBE法によるGaAsN混晶の作製と光学特性評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• RF-MBE法によるGaAsN混晶の作製と光学特性評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
• 立方晶GaN/GaAs(001)ヘテロ構造の光バイアスエレクトロリフレクタンス(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 立方晶GaN/GaAs(001)ヘテロ構造の光バイアスエレクトロリフレクタンス(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 18aA01 GaAs(001)基板上の高品質立方晶GaN微結晶およびInN薄膜のRF-MBE成長(立方晶GaN結晶成長を考える,ナノ・エピシンポジウム,第35回結晶成長国内会議)
• 第14回有機金属気相成長国際会議報告

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