RF-MBE法によるGaAsN混晶の作製と光学特性評価(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

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概要

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AsFluxをGaドロップが析出しない程度に低下させることにより、原子層オーダーで平坦な表面かつ良好な結晶性を有するN濃度4.5%までのGaAsN混晶をRF-MBE法により作製した。フォトリフレクタンス法を用いて、得られた試料の室温でのバンドギャップエネルギーを評価した。GaAsN混晶のバンドギャップエネルギーは、N濃度1%まではボウイングパラメーターを22eVとした2次曲線に沿っているが、N濃度が増加するにつれて、実験データの2次曲線からのずれは大きくなった。N濃度4.5%において、バンドギャップエネルギーは1.33μm(0.93eV)までレッドシフトした。
2002-06-06

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