18aA01 GaAs(001)基板上の高品質立方晶GaN微結晶およびInN薄膜のRF-MBE成長(立方晶GaN結晶成長を考える,ナノ・エピシンポジウム,第35回結晶成長国内会議)

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概要

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• We report the fabrication of highly luminescent cubic GaN microcrystals utilizing the three-dimensional growth via Ga droplets serves as nuclei, and the cubic InN films with a phase purity of up to 93% on GaAs (001) substrates by RF-MBE, showing that the RF-MBE method is suitable for realizing high-quality cubic nitride semiconductors.

• 日本結晶成長学会の論文
• 2005-08-17

著者

• 片山 竜二

  東大新領域

• 尾鍋 研太郎

  東大新領域

• 中村 照幸

  東大新領域

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