黒田 正行 | パナソニック株式会社セミコンダクター社ディスクリート事業本部ディスクリート開発センター
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
黒田 正行
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
パナソニック株式会社
-
上田 哲三
パナソニック株式会社
-
田中 毅
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電器(株)半導体デバイス研究センター
-
黒田 正行
パナソニック株式会社セミコンダクター社ディスクリート事業本部ディスクリート開発センター
-
村田 智洋
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
西嶋 将明
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
西嶋 将明
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
上田 哲三
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
-
西嶋 将明
パナソニック セミコンダクター社 半導体デバイス研究セ
-
村田 智洋
パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
-
村田 智洋
パナソニック株式会社
-
酒井 啓之
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
中澤 敏志
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
瀧澤 俊幸
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
柳原 学
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
永井 秀一
パナソニック ボストン研究所
-
柳原 学
パナソニック株式会社
-
永井 秀一
パナソニック株式会社先端技術研究所
-
中澤 敏志
パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
-
瀧澤 俊幸
パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
-
林 慶寿
名古屋大学工学研究科
-
岸本 茂
名古屋大学工学研究科
-
水谷 孝
名古屋大学工学研究科
-
上田 大助
パナソニック株式会社本社R&D部門先端技術研究所
-
上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
-
根来 昇
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
杉浦 俊
名古屋大学工学研究科
-
上田 大助
パナソニック株式会社
-
按田 義治
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
-
按田 義治
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
杉浦 俊
名古屋大学
-
按田 義治
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
-
水谷 孝
名古屋大学
-
岸本 茂
名古屋大学
-
按田 義治
パナソニック株式会社
-
岸本 茂
名大院工
-
根来 昇
パナソニック株式会社
著作論文
- In-situ SiNをゲート絶縁膜に用いたAlGaN/GaN MIS-HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-10-3 高周波信号用ビアを有するサファイア基板上GaN MMICのチップサイズパッケージ(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- HfO_2をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価・解析
- In-situ SiNをゲート絶縁膜に用いたAlGaN/GaN MIS-HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 準ミリ波長距離伝送に向けた低コスト基板上GaNデバイス(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)