根来 昇 | パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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概要
関連著者
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根来 昇
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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酒井 啓之
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
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田中 毅
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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田中 毅
パナソニック株式会社
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上田 大助
パナソニック株式会社
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西嶋 将明
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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上田 大助
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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酒井 啓之
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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根来 昇
松下電器産業株式会社 半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
パナソニック株式会社
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西嶋 将明
松下電子工業株式会社 半導体デバイス研究センター
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田中 毅
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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永井 秀一
パナソニック株式会社先端技術研究所
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田中 毅
松下電器(株)半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
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根来 昇
パナソニック株式会社
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福田 健志
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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村田 智洋
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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宇治田 信二
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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河井 康文
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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上本 康裕
パナソニック株式会社
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河井 康史
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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福田 健志
パナソニック 先端技研
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井上 薫
パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所
-
上本 康裕
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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村田 智洋
松下電器産業(株)
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永井 秀一
パナソニック ボストン研究所
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引田 正洋
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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井上 薫
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
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廣瀬 裕
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
引田 正洋
パナソニック株式会社
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広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
-
廣瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
井上 薫
松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
-
西嶋 将明
パナソニック セミコンダクター社 半導体デバイス研究セ
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海原 一裕
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
永井 秀一
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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福田 健志
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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大塚 信之
松下電器半導体センター
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宇治田 信二
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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Otsuka Nobuyuki
Advanced Technology Research Laboratories Matsushita Electric Industrial Co. Ltd.
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大塚 信之
パナソニック株式会社先端技術研究所
-
海原 一裕
パナソニック株式会社
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根来 昇
パナソニック株式会社半導体デバイス開発センター
-
石田 秀俊
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
黒田 正行
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
上本 康裕
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
石田 秀俊
パナソニック株式会社
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按田 義治
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
-
按田 義治
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
按田 義治
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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村田 智洋
パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
-
村田 智洋
パナソニック株式会社
-
按田 義治
パナソニック株式会社
-
黒田 正行
パナソニック株式会社セミコンダクター社ディスクリート事業本部ディスクリート開発センター
著作論文
- 2.5Gcpsスペクトル拡散変調を用いた26GHz帯自動車用短距離UWBレーダ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-2-10 厚膜再配線構造による低損失伝送線路を用いた準ミリ波帯SiGe-MMIC(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器
- 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器(ミリ波技術/一般)
- 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器(ミリ波技術/一般)
- 2.5Gcpsスペクトル拡散変調を用いた26GHz帯自動車用短距離UWBレーダ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 招待講演 準ミリ波長距離伝送に向けた低コスト基板上GaNデバイス (電子デバイス)
- C-2-29 厚膜再配線構造を用いた26GHz帯近距離レーダ用SiGe-BiCMOS送受信チップセット(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 準ミリ波長距離伝送に向けた低コスト基板上GaNデバイス(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- マイクロ波駆動技術を用いた絶縁型ゲート駆動回路(先端テクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- マイクロ波駆動技術を用いた絶縁型ゲート駆動回路(先端テクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)