引田 正洋 | パナソニック株式会社
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概要
関連著者
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引田 正洋
パナソニック株式会社
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上本 康裕
パナソニック株式会社
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上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
-
上田 大助
パナソニック株式会社
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上本 康裕
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
上田 大助
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
引田 正洋
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
柳原 学
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
村田 智洋
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
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廣瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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村田 智洋
松下電器産業(株)
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広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
上田 哲三
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
上田 哲三
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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井上 薫
パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所
-
上野 弘明
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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石田 秀俊
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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井上 薫
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
廣瀬 裕
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
石田 秀俊
パナソニック株式会社
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上野 弘明
松下電器産業株式会社 半導体デバイス研究センター
-
井上 薫
松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
石田 秀俊
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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柳原 学
パナソニック株式会社
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江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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田中 毅
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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田中 毅
パナソニック株式会社
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松尾 尚慶
パナソニック株式会社
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上田 哲三
パナソニック株式会社
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江川 孝志
名古屋工業大学
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松尾 尚慶
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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酒井 啓之
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
中澤 一志
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
根来 昇
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
西嶋 将明
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
酒井 啓之
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
根来 昇
松下電器産業株式会社 半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
松下電子工業株式会社 半導体デバイス研究センター
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中澤 一志
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
西嶋 将明
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
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広瀬 裕
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
西嶋 将明
パナソニック セミコンダクター社 半導体デバイス研究セ
-
松尾 尚慶
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
上田 大助
パナソニック株式会社本社R&D部門先端技術研究所
-
黒田 正行
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
中澤 敏志
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
柳原 学
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
上本 康裕
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
黒田 正行
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
中澤 敏志
松下電器産業(株)半導体社
-
森田 竜夫
パナソニック株式会社
-
梅田 英和
パナソニック株式会社
-
井腰 文智
パナソニック株式会社
-
清水 順
パナソニック株式会社
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田中 毅
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電器(株)半導体デバイス研究センター
-
森田 竜夫
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
梅田 英和
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
上田 哲三
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
-
森田 竜夫
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
著作論文
- AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- C-10-15 伝導度変調を利用したノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ(C-10.電子デバイス,一般講演)
- ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- パワースイッチングシステム応用に向けてのAlGaN/GaNデバイス
- AlGaN/GaN HFETの高周波およびパワーデバイスへの応用(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- ノーマリオフ型GITを集積化したワンチップGaNインバータIC
- 超格子キャップ層を用いた低ソース抵抗AlGaN/GaN HFET (特集/第20回テクノフェスタ)
- 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器
- 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器(ミリ波技術/一般)
- 超格子キャップ層を用いた低ソース抵抗AlGaN/GaN HFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器(ミリ波技術/一般)
- AlGaN/GaN HFETの高周波およびパワーデバイスへの応用(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 超格子キャップ層を用いた低ソース抵抗AlGaN/GaN HFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET
- ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- GaNパワーデバイス (特集 半導体)