上田 哲三 | 松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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概要
関連著者
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上田 哲三
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
パナソニック株式会社
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田中 毅
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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上野 弘明
松下電器産業株式会社 半導体デバイス研究センター
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田中 毅
パナソニック株式会社
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上野 弘明
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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上本 康裕
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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松尾 尚慶
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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柳原 学
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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上本 康裕
パナソニック株式会社
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石田 秀俊
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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石田 秀俊
パナソニック株式会社
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松尾 尚慶
パナソニック株式会社
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石田 秀俊
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
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上田 大助
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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上田 大助
パナソニック株式会社
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中澤 敏志
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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中澤 敏志
松下電器産業(株)半導体社
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柳原 学
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村田 智洋
松下電器産業(株)
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黒田 正行
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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村田 智洋
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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中澤 一志
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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黒田 正行
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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江川 孝志
名古屋工業大学
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パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所
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引田 正洋
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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井上 薫
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
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引田 正洋
パナソニック株式会社
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田中 毅
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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井上 薫
松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
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瀧澤 俊幸
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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瀧澤 俊幸
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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瀧澤 俊幸
松下電器産業(株)半導体デバイス研究センター
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中澤 一志
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
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永井 秀一
パナソニック株式会社先端技術研究所
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LI Ming
パナソニック ボストン研究所
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パナソニック(株)セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
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松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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森田 竜夫
松下電器産業(株)半導体社
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谷川 達也
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
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森田 竜夫
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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大西 俊一
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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森田 竜夫
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
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松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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柴田 大輔
パナソニック(株)セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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田村 聡之
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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小川 雅弘
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
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Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company
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LI Ming
Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company
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柴田 大輔
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
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パナソニック株式会社
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柴田 大輔
パナソニック株式会社
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Li Ming
Panasonic Boston Laboratory Panasonic Technologies Company
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油利 正昭
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石田 昌宏
松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
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清水 順
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
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石田 昌宏
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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石田 昌宏
パナソニック株式会社
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藤本 康弘
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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油利 正昭
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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石田 昌宏
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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田村 聡之
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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小川 雅弘
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西嶋 将明
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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折田 賢児
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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廣瀬 裕
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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森田 竜夫
パナソニック株式会社
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広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
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福島 康之
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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廣瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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福島 康之
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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高瀬 裕志
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薄田 学
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折田 賢児
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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折田 賢児
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
折田 賢児
松下電器産業(株)
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西嶋 将明
パナソニック セミコンダクター社 半導体デバイス研究セ
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西嶋 将明
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
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酒井 啓之
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
酒井 啓之
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
永井 秀一
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
石堂 輝樹
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
片山 琢磨
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
永井 秀一
パナソニック ボストン研究所
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Li Ming.
Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company
-
黒田 正行
Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company
-
石堂 輝樹
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
片山 琢磨
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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田中 毅
松下電器(株)半導体デバイス研究センター
著作論文
- 擬似スーパージャンクション構造を有するGaN縦型ショットキーバリアダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 擬似スーパージャンクション構造を有するGaN縦型ショットキーバリアダイオード
- C-10-16 擬似スーパージャンクション構造によるGaN縦型ショットキーバリアダイオードの高耐圧化(C-10.電子デバイス,一般講演)
- レーザリフトオフによるGaN系面発光デバイスの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- レーザリフトオフによるGaN系面発光デバイスの作製
- 格子整合系六方晶InAlGaN四元混晶の禁制帯幅とボウイング定数(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- サファイア基板上準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC
- サファイア基板へのビアホールを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET
- CS-9-6 サファイア基板へのビアを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- C-10-14 サファイア上マイクロストリップ線路を用いた準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- 10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- C-10-15 伝導度変調を利用したノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ(C-10.電子デバイス,一般講演)
- ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果
- C-10-13 AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-11 無極性a面AlGaN/GaNヘテロ接合におけるシートキャリア濃度制御(C-10.電子デバイス,一般講演)
- パワースイッチングシステム応用に向けてのAlGaN/GaNデバイス
- 無極性(11-20)面上に形成されたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタのノーマリオフ動作(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-10 in-situ SiN膜を用いたAlGaN/GaN MIS型HFET(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- C-10-1 EBSD法によるSi上AlGaN/GaNヘテロ構造の歪み分布解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタ(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタ(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタ(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 格子整合系六方晶InAlGaN四元混晶の禁制帯幅とボウイング定数(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-7 格子間フッ素によるGaN系トランジスタのノーマリオフ化機構(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET
- ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- AlNバッファを用いたAlGaN/GaN/AlGaNダブルヘテロFETの高耐圧化
- AlNバッファを用いたAlGaN/GaN/AlGaNダブルヘテロFETの高耐圧化(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- AlNバッファを用いたAlGaN/GaN/AlGaNダブルヘテロFETの高耐圧化(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- AlNバッファを用いたAlGaN/GaN/AlGaNダブルヘテロFETの高耐圧化
- 擬似スーパージャンクション構造を有するGaN縦型ショットキーバリアダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 擬似スーパージャンクション構造を有するGaN縦型ショットキーバリアダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- C-10-14 AlGaN/AlNバッファを用いた高耐圧AlGaN/GaN/AlGaNダブルヘテロFET(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 高In組成InAlGaN活性層を有するSi基板上高輝度紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 高In組成InAlGaN活性層を有するSi基板上高輝度紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 高In組成InAlGaN活性層を有するSi基板上高輝度紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- C-10-19 InAlGaNキャップ層を有するAlGaN/GaN HFETによるオーミックコンタクト抵抗の低減(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- 無極性(11-20)面上に形成したノーマリオフ動作AlGaN/GaN MIS型ヘテロ接合トランジスタ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 無極性(11-20)面上に形成したノーマリオフ動作AlGaN/GaN MIS型ヘテロ接合トランジスタ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 無極性(11-20)面上に形成したノーマリオフ動作AlGaN/GaN MIS型ヘテロ接合トランジスタ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- C-10-10 無極性a面上ノーマリオフ型AlGaN/GaN MIS-HFET(C-10.電子デバイス,一般講演)
- セルフアラインプロセスにより作製したGaN系縦型トランジスタ
- 金属ナノホールアレイを用いた表面プラズモン面発光レーザー
- 表面プラズモン共鳴を用いた偏波制御VCSELアレイ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- CS-4-5 表面プラズモンミラーを集積化した面発光レーザ(CS-4.光インターコネクション技術の最新動向,シンポジウム)
- C-4-13 微小金属ホールアレイを集積化した850nm帯表面プラズモンVCSEL(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- CS-4-6 BCB平坦化構造を有する12.5Gbps動作850nm帯面発光レーザ(CS-4. 応用分野が広がる面発光レーザ(VCSEL)技術の最新動向, エレクトロニクス1)
- ジメチルヒドラジンを窒素源に用いたGaNのマスクレスELO成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ジメチルヒドラジンを窒素源に用いたGaNのマスクレスELO成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ジメチルヒドラジンを窒素源に用いたGaNのマスクレスELO成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- C-10-15 セルフアラインプロセスにより作製したGaN系縦型トランジスタ(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-12 AlGaN/GaNヘテロ構造上にin-situ成膜した結晶状SiN極薄膜の評価(C-10.電子デバイス,一般講演)
- セルフアラインプロセスにより作製した大電流GaN系縦型電界効果トランジスタ,AWAD2006)
- レーザリフトオフによるGaN系面発光デバイスの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- レーザリフトオフによるGaN系面発光デバイスの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 無極性(11-20)面上に形成されたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタのノーマリオフ動作(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- セルフアラインプロセスにより作製した大電流GaN系縦型電界効果トランジスタ
- セルフアラインプロセスにより作製した大電流GaN系縦型電界効果トランジスタ