C-10-1 EBSD法によるSi上AlGaN/GaNヘテロ構造の歪み分布解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-09-02
著者
-
石堂 輝樹
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
片山 琢磨
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
上田 哲三
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
井上 薫
パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所
-
松尾 尚慶
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
-
上田 大助
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
井上 薫
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
上田 大助
パナソニック株式会社
-
石堂 輝樹
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
片山 琢磨
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
松尾 尚慶
パナソニック株式会社
-
上田 哲三
パナソニック株式会社
-
井上 薫
松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
-
上田 哲三
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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