沈 旭強 | 産業技術総合研究所

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概要

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関連著者

• 沈 旭強

  産業技術総合研究所

• 井手 利英

  産業技術総合研究所

• 森田 竜夫

  パナソニック株式会社

• 田中 毅

  パナソニック株式会社

• 上田 哲三

  パナソニック株式会社

• 沈 旭強

  産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター

• 清水 三聡

  産業技術総合研究所

• 上田 哲三

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 松畑 洋文

  産業技術総合研究所

• 田中 毅

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 奥村 元

  産業技術総合研究所

• 奥村 元

  産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター

• 松畑 洋文

  産総研エネルギー半導体エレ

• 田中 毅

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 奥村 元

  産業技術総合研

• 清水 三聡

  産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター

• 田中 毅

  松下電器(株)半導体デバイス研究センター

• 森田 竜夫

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 森田 竜夫

  パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター

• 幾原 雄一

  東京大学工学部総合研究機構

• 幾原 雄一

  東京大学工学部

• 岩本 知広

  熊本大学大学院自然科学研究科

• 岩本 知広

  東京大学工学部総合研究機構

• 井手 利英

  産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター

• 幾原 雄一

  東京大学工学系:東北大学WPI-AIMR:ファインセラミックスセンター

• 幾原 雄一

  東大工

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著作論文

• 窒化物系半導体薄膜での転位密度減少の観察
• 超高圧超高分解能透過電子顕微鏡によるGaN極性直接評価とその応用(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 超高圧超高分解能透過電子顕微鏡によるGaN極性直接評価とその応用(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
• GaN-GIT双方向スイッチの高精度な等価回路モデル(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• GaN-GIT双方向スイッチの高精度な等価回路モデル(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• GaN-GIT双方向スイッチの高精度な等価回路モデル(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• GaN-GIT双方向スイッチの高精度な等価回路モデル
• GaN-GIT双方向スイッチの高精度な等価回路モデル
• GaN-GIT双方向スイッチの高精度な等価回路モデル

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