松畑 洋文 | 産業技術総合研究所
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概要
関連著者
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松畑 洋文
産業技術総合研究所
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松畑 洋文
電総研
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小倉 睦郎
電総研
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小倉 睦郎
産業技術総合研究所
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王 学論
電総研
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王 学論
産業技術総合研究所
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小倉 睦郎
電子技術総合研究所:科学技術振興事業団、戦略的基礎研究推進事業(crest)
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松畑 洋文
電子技術総合研究所
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小倉 睦郎
電子技術総合研究所
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王 学論
電子技術総合研究所電子デバイス部
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山口 博隆
産総研
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山口 博隆
産業技術総合研究所
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山口 博隆
産総研エレクトロニクス
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松畑 洋文
産総研
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奥村 元
産業技術総合研究所
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奥村 元
産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
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小倉 睦郎
独立行政法人産業技術総合研究所
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松畑 洋文
産総研エネルギー半導体エレ
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沈 旭強
産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
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奥村 元
産業技術総合研
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大野 俊之
日立中研
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沈 旭強
産業技術総合研究所
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坪田 雅己
広大先進セ
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高畠 敏郎
Department Of Quantum Matter Adsm Hiroshima University:institute For Advanced Materials Research Hir
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坪田 雅巳
原子力機構・放射光
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幾原 雄一
東京大学工学部総合研究機構
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幾原 雄一
東京大学工学部
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岩本 知広
熊本大学大学院自然科学研究科
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松畑 洋文
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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岩本 知広
東京大学工学部総合研究機構
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井手 利英
産業技術総合研究所
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伊賀 文俊
広島大学大学院先端物質科学研究科
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坪田 雅己
広島大学大学院先端物質科学研究科
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高畠 敏郎
広島大学大学院先端物質科学研究科
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松畑 洋文
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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Takabatake Toshiro
Department Of Quantum Matters Adsm Hiroshima University
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井手 利英
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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幾原 雄一
東京大学工学系:東北大学WPI-AIMR:ファインセラミックスセンター
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吉田 良行
産総研
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伊藤 利充
産総研
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白川 直樹
産総研
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岡 邦彦
産総研
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池田 伸一
産総研
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平山 司
Japan Fine Ceramics Center
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浅香 透
物質・材料研究機構
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木本 浩司
物質・材料研究機構
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松井 良夫
物質・材料研究機構
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池田 伸一
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門量子凝縮物性グループ
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幾原 雄一
東大工
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吉田 良行
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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白川 直樹
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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李 哲虎
室蘭工業大学
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木本 浩司
物材機構
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木本 浩司
日立 日立研
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中野 寿寛
広島大学大学院先端物質科学研究科
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山口 博隆
電子技術総合研究所
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多田 哲也
産業技術融合領域研究所
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浅香 透
ファインセラミックスセンター
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関根 ちひろ
物質・材料研究機構
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城谷 一民
ジャッパンファインセラミックスセンター
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浅香 透
School of Education, Waseda University
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木本 浩司
Advanced Materials Laboratory, National Institute for Materials Science
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松井 良夫
Advanced Materials Laboratory, National Institute for Materials Science
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長井 一郎
産業技術総合研究所
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木本 浩司
物質・材料研究機構 ナノ計測センター 先端電子顕微鏡グループ
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松畑 洋文
通商産業省工業技術院電子技術総合研究所
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王 学論
通商産業省工業技術院電子技術総合研究所
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小倉 睦郎
通商産業省工業技術院電子技術総合研究所
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王 学論
電総研電子デバイス部
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小倉 睦郎
電総研電子デバイス部
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松畑 洋文
電総研電子デバイス部
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伊藤 利允
電子技術総合研究所
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平山 司
JFCCナノ構造研究所
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岡 邦彦
電子技術総合研究所
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木本 浩司
名古屋大学大学院工学研究科応用物理学専攻
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松井 良夫
科学技術庁・無機材質研究所
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大野 俊之
日立製作所
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Takabatake T
Hiroshima Univ. Higashi-hiroshima Jpn
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平山 司
ファインセラミックスセ ナノ構造研
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池田 伸一
産業技術総合研 エレクトロニクス研究部門
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小倉 睦郎
産業技術総合研
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平山 司
ジャッパンファインセラミックスセンター
著作論文
- 充填スクッテルダイト構造PrRu_4P_の低温相の観察
- Sr_3Ir_2O_7の結晶構造解析
- 最近の研究と技術 低角入射放射光回折顕微鏡法による4H-SiCパワーデバイス中の格子欠陥の観察
- 三日月状量子細線の観察
- 三日月状GaAs量子細線の電子顕微鏡による観察
- 表面マイグレーション制御自己停止成長特性の基板形状依存性
- 表面マイグレーション制御自己停止成長特性の基板形状依存性
- 表面マイグレーション制御自己停止成長による量子ナノ構造の作製
- 表面マイグレーション制御自己停止成長によるAlGaAs/GaAs量子細線の原子層制御作製
- 表面マイグレーション制御自己停止成長によるAlGaAs/GaAs量子細線の原子層制御作製
- 28a-A-2 三日月状GaAs量子細線の観察
- V溝基板上成長AlGaAs/GaAs量子細線超格子の光学特性
- 窒化物系半導体薄膜での転位密度減少の観察
- 超高圧超高分解能透過電子顕微鏡によるGaN極性直接評価とその応用(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 超高圧超高分解能透過電子顕微鏡によるGaN極性直接評価とその応用(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- Y_Ca_xTiO_3 (x=0.37, 39, 41)の絶縁体-金属相転移の透過型電子顕微鏡による in-situ 観察
- Y_Ca_TiO_3の絶縁体-金属転移近傍の構造観察
- 28aRE-5 放射光を用いたgrazing incidenceトポグラフィーで観察される4H-SiCの転位のコントラスト(28aRE X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24aYF-7 低角入射による表面近傍の構造に敏感な放射光トポグラフ法による4H-SiCの格子欠陥の観察(格子欠陥・ナノ構造(力学物性・転位),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- La_Sr_xCu_8O_ (x=1.6-2.2)の構造観察
- 電子回折で観察される縮退と臨界現象(2)
- 電子回折で観察される縮退と臨界現象(1)
- 平行ビームを使ったX線トポグラフィによるSiCの転位観察