王 学論 | 電子技術総合研究所電子デバイス部

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概要

• 同名の論文著者
• 電子技術総合研究所電子デバイス部の論文著者

関連著者

• 小倉 睦郎

  電総研

• 小倉 睦郎

  電子技術総合研究所

• 小倉 睦郎

  産業技術総合研究所

• 王 学論

  電総研

• 王 学論

  産業技術総合研究所

• 王 学論

  電子技術総合研究所電子デバイス部

• 小倉 睦郎

  電子技術総合研究所:科学技術振興事業団、戦略的基礎研究推進事業(crest)

• 松畑 洋文

  電総研

• 松畑 洋文

  産業技術総合研究所

• 小倉 睦郎

  独立行政法人産業技術総合研究所

• 松畑 洋文

  電子技術総合研究所

• 清水 三聡

  電総研

• 金 秦根

  電子技術総合研究所

• 小森 和宏

  電子技術総合研究所

• 彦坂 憲宣

  科学技術振興事業団

• 清水 三聡

  電子技術総合研究所

• 鈴木 克弘

  電子技術総合研究所

• Voliotis V.

  Groupe de Physique des Solides, CNRS

• Grousson R.

  Groupe de Physique des Solides, CNRS

• Voliotis V.

  Groupe De Physique Des Solides Cnrs Universites Paris 6 Et Paris 72 Place Jussieu

• Grousson R.

  Groupe De Physique Des Solides Cnrs Universites Paris 6 Et Paris 72 Place Jussieu

• 金 秦根

  電子技術総合研究所:新エネルギー開発機構

• 多田 哲也

  産業技術融合領域研究所

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著作論文

• 表面マイグレーション制御自己停止成長特性の基板形状依存性
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• 表面マイグレーション制御自己停止成長によるAlGaAs/GaAs量子細線の原子層制御作製
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• V溝基板上成長AlGaAs/GaAs量子細線超格子の光学特性
• 流量変調法による量子細線レーザの基底レベル発振
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• 原子間力顕微鏡および顕微ホトルミネセンスによるV溝形AlGaAs/GaAs量子細線の界面ラフネス評価
• 原子間力顕微鏡および顕微ホトルミネセンスによるV溝形AlGaAs/GaAs量子細線の界面ラフネス評価
• 流量変調エピタキシー法を用いたAlGaAs/GaAs量子細線の作製とその光学特性

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