王 学論 | 電総研
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概要
関連著者
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王 学論
電総研
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王 学論
産業技術総合研究所
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小倉 睦郎
電子技術総合研究所:科学技術振興事業団、戦略的基礎研究推進事業(crest)
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小倉 睦郎
電総研
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小倉 睦郎
産業技術総合研究所
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小倉 睦郎
独立行政法人産業技術総合研究所
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小倉 睦郎
電子技術総合研究所
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王 学論
電子技術総合研究所電子デバイス部
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松畑 洋文
電総研
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松畑 洋文
産業技術総合研究所
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松畑 洋文
電子技術総合研究所
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小森 和弘
産総研、CREST-JST
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小倉 睦郎
産業技術総合研
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小森 和弘
産業技術総合研究所
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渡辺 正信
産業技術総合研究所
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菅谷 武芳
電総研
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小森 和弘
電総研
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菅谷 武芳
電子技術総合研究所:科学技術振興事業団、戦略的基礎研究推進事業(crest)
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王 学論
通商産業省工業技術院電子技術総合研究所
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岡田 工
東海大学短期大学部 情報・ネットワーク学科
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清水 三聡
電総研
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金 秦根
電子技術総合研究所
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小森 和宏
電子技術総合研究所
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彦坂 憲宣
科学技術振興事業団
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清水 三聡
電子技術総合研究所
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鈴木 克弘
電子技術総合研究所
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Voliotis V.
Groupe de Physique des Solides, CNRS
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Grousson R.
Groupe de Physique des Solides, CNRS
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Voliotis V.
Groupe De Physique Des Solides Cnrs Universites Paris 6 Et Paris 72 Place Jussieu
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Grousson R.
Groupe De Physique Des Solides Cnrs Universites Paris 6 Et Paris 72 Place Jussieu
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金 秦根
電子技術総合研究所:新エネルギー開発機構
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服部 利明
筑波大物工
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多田 哲也
産業技術融合領域研究所
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金 成珍
電子技術総合研究所:nedo:戦略基礎研究科技団
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杉山 佳延
電総研
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杉山 佳延
電子技術総合研究所
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小森 和弘
(独)産業技術総合研究所 光技術研究部門 光電子制御デバイスグループ:科学技術振興機構 戦略的創造研究推進事業 Crestタイプ
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岡田 工
東海大学短期大学部
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菅谷 武芳
産業技術総合研究所
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鶴町 徳昭
香川大学工学部
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菅谷 武芳
産業技術総合研究所光技術研究部門
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金 成珍
電総研
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孫 昌植
電総研
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松畑 洋文
通商産業省工業技術院電子技術総合研究所
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小倉 睦郎
通商産業省工業技術院電子技術総合研究所
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王 学論
電総研電子デバイス部
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小倉 睦郎
電総研電子デバイス部
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松畑 洋文
電総研電子デバイス部
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今西 秀樹
日本板硝子
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Hayes G.
スイス工大
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岡田 工
科技団戦略
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渡辺 正信
電総研
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Deveaud B.
スイス工大
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小森 和弘
通商産業省工業技術院 電子技術総合研究所
-
渡辺 正信
通商産業省工業技術院 電子技術総合研究所
-
小倉 睦朗
通商産業省工業技術院 電子技術総合研究所 光技術部
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今西 秀樹
日本板硝子(株)
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小森 和弘
産業技術総合研 光技術研究部門
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孫 昌植
産総研、科技団戦略:nedo
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王 学論
産総研;科技団戦略
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鶴町 徳昭
産総研;科技団戦略;NEDO
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渡辺 直樹
筑波大物工
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彦坂 憲宣
産総研;科技団戦略
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小倉 睦郎
産総研;科技団戦略
著作論文
- SC-9-10 化合物半導体系量子細線FETの量子コンダクタンスおよび負性抵抗効果
- 三日月状量子細線の観察
- 三日月状GaAs量子細線の電子顕微鏡による観察
- 表面マイグレーション制御自己停止成長特性の基板形状依存性
- 表面マイグレーション制御自己停止成長特性の基板形状依存性
- 表面マイグレーション制御自己停止成長による量子ナノ構造の作製
- 表面マイグレーション制御自己停止成長によるAlGaAs/GaAs量子細線の原子層制御作製
- 表面マイグレーション制御自己停止成長によるAlGaAs/GaAs量子細線の原子層制御作製
- 28a-A-2 三日月状GaAs量子細線の観察
- V溝基板上成長AlGaAs/GaAs量子細線超格子の光学特性
- 27aYA-9 半導体量子ナノ構造中の励起子の超高速位相ロック分光
- 超高速光・電子融合素子へ向けた結合量子細線構造の作製
- V溝量子細線の光・電子素子への応用
- 流量変調法による量子細線レーザの基底レベル発振
- 流量変調法による量子細線レーザの基底レベル発振
- 高精度・高安定マイケルソン干渉計による量子細線のコヒーレント制御
- 結合量子ナノ構造の作製と発光特性 (特集 光波高度制御技術の研究)
- 原子間力顕微鏡および顕微ホトルミネセンスによるV溝形AlGaAs/GaAs量子細線の界面ラフネス評価
- 原子間力顕微鏡および顕微ホトルミネセンスによるV溝形AlGaAs/GaAs量子細線の界面ラフネス評価
- 流量変調エピタキシー法を用いたAlGaAs/GaAs量子細線の作製とその光学特性
- 27aYE-2 半導体量子ナノ構造を含む光導波路中のフェムト秒光パルス伝搬(27aYE 超高速現象,領域5(光物性分野))