流量変調エピタキシー法を用いたAlGaAs/GaAs量子細線の作製とその光学特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
低い成長温度において低次元量子構造を作製するため、初めて流量変調エピタキシー(FME)法をパターニング基板上への選択成長に応用した。その結果、600℃において、成長の選択性は通常のMOCVD法に比べ約2.2大きくなり、FMEは優れた選択性を有することが分かった。FME法により、600℃においてV溝基板上にクレセント型のAlGaAs, GaAs量子細線の作製に成功した。作製した量子細線から良好なホトルミネセンスが観測された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-11-18
著者
-
小倉 睦郎
電総研
-
小倉 睦郎
電子技術総合研究所
-
小倉 睦郎
産業技術総合研究所
-
王 学論
電総研
-
王 学論
産業技術総合研究所
-
王 学論
電子技術総合研究所電子デバイス部
-
小倉 睦郎
電子技術総合研究所:科学技術振興事業団、戦略的基礎研究推進事業(crest)
関連論文
- 29a-ZL-3 MBEによるV溝型InGaAs/InAlAs量子細線FETの試作
- InP(311)A段差基板上へ成長したトレンチ型InGaAs量子細線FETの負性抵抗
- III族原子表面拡散制御MBEによるInGaAs量子細線の作製
- SC-9-10 化合物半導体系量子細線FETの量子コンダクタンスおよび負性抵抗効果
- InGaAs量子細線FETから明瞭な負性抵抗の観察
- C-10-17 負性抵抗InGaAs量子細線FET
- III族原子表面拡散制御MBEによるInGaAs量子細線の作製
- 三日月状量子細線の観察
- 三日月状GaAs量子細線の電子顕微鏡による観察
- 表面マイグレーション制御自己停止成長特性の基板形状依存性
- 表面マイグレーション制御自己停止成長特性の基板形状依存性
- 表面マイグレーション制御自己停止成長による量子ナノ構造の作製
- 表面マイグレーション制御自己停止成長によるAlGaAs/GaAs量子細線の原子層制御作製
- 表面マイグレーション制御自己停止成長によるAlGaAs/GaAs量子細線の原子層制御作製
- 28a-A-2 三日月状GaAs量子細線の観察
- V溝基板上成長AlGaAs/GaAs量子細線超格子の光学特性
- 27aYA-9 半導体量子ナノ構造中の励起子の超高速位相ロック分光
- 超高速光・電子融合素子へ向けた結合量子細線構造の作製
- V溝量子細線の光・電子素子への応用
- InP(311)A段差基板上へ成長したトレンチ型InGaAs量子細線FETの負性抵抗
- InGaAs量子細線FETから明瞭な負性抵抗の観察
- 一回選択MOCVD法により成長した量子井戸構造の評価 : シュタルク効果の測定
- 流量変調法による量子細線レーザの基底レベル発振
- 流量変調法による量子細線レーザの基底レベル発振
- リッジ基板上の一回の選択MOCVDによる InGaAs/AIGaAs 量子細線DFBレーザー
- 高精度・高安定マイケルソン干渉計による量子細線のコヒーレント制御
- 結合量子ナノ構造の作製と発光特性 (特集 光波高度制御技術の研究)
- 原子間力顕微鏡および顕微ホトルミネセンスによるV溝形AlGaAs/GaAs量子細線の界面ラフネス評価
- 原子間力顕微鏡および顕微ホトルミネセンスによるV溝形AlGaAs/GaAs量子細線の界面ラフネス評価
- 流量変調エピタキシー法を用いたAlGaAs/GaAs量子細線の作製とその光学特性
- 27aYE-2 半導体量子ナノ構造を含む光導波路中のフェムト秒光パルス伝搬(27aYE 超高速現象,領域5(光物性分野))