高精度・高安定マイケルソン干渉計による量子細線のコヒーレント制御
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
We developed a high-resolution Michelson interferometer in order to stabilize the relative phase of double pulses by using a He-Ne two-frequency laser positioning system. Very stable phase-locked pulse pair whose phase difference was only 4 degree at 900nm was realized.Using a high-resolution Michelson interferometer, we demonstrated coherent control of an exciton in a GaAs/AlGaAs crescent-shaped quantum wire. The dephasing time of the single quantum wire was 400fs.
- 社団法人 電気学会の論文
- 2008-06-01
著者
-
小森 和弘
産業技術総合研究所
-
小森 和弘
産総研、CREST-JST
-
小倉 睦郎
電総研
-
小森 和弘
(独)産業技術総合研究所 光技術研究部門 光電子制御デバイスグループ:科学技術振興機構 戦略的創造研究推進事業 Crestタイプ
-
岡田 工
東海大学短期大学部
-
鶴町 徳昭
香川大学工学部
-
小倉 睦郎
産業技術総合研究所
-
小倉 睦郎
独立行政法人産業技術総合研究所
-
王 学論
電総研
-
王 学論
産業技術総合研究所
-
岡田 工
東海大学短期大学部 情報・ネットワーク学科
-
小倉 睦郎
電子技術総合研究所:科学技術振興事業団、戦略的基礎研究推進事業(crest)
-
小森 和弘
産業技術総合研 光技術研究部門
-
小倉 睦郎
産業技術総合研
関連論文
- 第11回リフレッシュ理科教室(香川会場)開催報告
- 第10回リフレッシュ理科教室(香川会場)開催報告
- 29a-ZL-3 MBEによるV溝型InGaAs/InAlAs量子細線FETの試作
- 横方向電界印加型多重量子井戸構造テラヘルツ波発生素子の放射特性
- 27aZC-9 InAs/GaAs単一結合量子ドットにおける2波長励起分光(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 横方向電界印加型多重量子井戸からのテラヘルツ波発生
- 強誘電体PVDFをクラッディング材とする可とう性テラヘルツ帯中空導波路
- 高精度マイケルソン干渉計による超高速パルス対の位相安定システム
- Coherent control of exiton in a single quantum dot using a high-resolution Michelson interferometer
- 30pVA-4 GaNAs系超格子の時間分解ルミネセンス(30pVA 超高速現象,領域5(光物性))
- InP(311)A段差基板上へ成長したトレンチ型InGaAs量子細線FETの負性抵抗
- III族原子表面拡散制御MBEによるInGaAs量子細線の作製
- 高密度量子ドットを用いた1.3μm帯ストライプレーザの低しきい値電流動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- SC-9-10 化合物半導体系量子細線FETの量子コンダクタンスおよび負性抵抗効果
- InGaAs量子細線FETから明瞭な負性抵抗の観察
- C-10-17 負性抵抗InGaAs量子細線FET
- III族原子表面拡散制御MBEによるInGaAs量子細線の作製
- 三日月状量子細線の観察
- 三日月状GaAs量子細線の電子顕微鏡による観察
- 表面マイグレーション制御自己停止成長特性の基板形状依存性
- 表面マイグレーション制御自己停止成長特性の基板形状依存性
- 表面マイグレーション制御自己停止成長による量子ナノ構造の作製
- 表面マイグレーション制御自己停止成長によるAlGaAs/GaAs量子細線の原子層制御作製
- 表面マイグレーション制御自己停止成長によるAlGaAs/GaAs量子細線の原子層制御作製
- 28a-A-2 三日月状GaAs量子細線の観察
- V溝基板上成長AlGaAs/GaAs量子細線超格子の光学特性
- 超高速光 : 光制御の為の位相同期極超短光パルス列の形成
- 波形整形パルス列による量子井戸励起子の超高速光制御
- 31p-ZG-8 波形整形法による結合量子井戸の励起子のコヒーレント制御
- 波形整形法による位相相関フェムト秒パルス列の形成
- 27p-YP-18 波形整形光パルス列による量子井戸励起子のコヒーレント制御
- 導体紙の電気的性質
- 合成ダイヤモンド薄膜によるセンサ
- 陽極酸化アルミニウムを用いたシリコンプレート型湿度センサ
- 陽極酸化アルミニウムを用いたシリコンプレーナ型湿度センサ
- ポーラスシリコンを用いた集積化有機ガスセンサにおける電流応答機構
- 簡易型熱フィラメントCVD法による多結晶ダイヤモンド薄膜の合成
- 短期大学部高輪校舎における人間教育を目指した総合教育の新しい取り組み
- 有機溶液の電気分解により合成したアモルファス炭素薄膜
- 光化学エッチングによる厚い多孔質シリコンからのフォトルミネッセンス
- 高密度量子ドットを用いた1.3μm帯ストライプレーザの低しきい値電流動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高密度量子ドットを用いた1.3μm帯ストライプレーザの低しきい値電流動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高密度量子ドットを用いた1.3μm帯ストライプレーザの低しきい値電流動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3μm帯量子ドットDFBレーザ : 高密度量子ドットと縦型グレーティングの導入(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 高密度高均一量子ドットを用いた量子ドットレーザ(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- 24aWQ-1 コロイド状CdSe/ZnS量子ドットにおける位相緩和の溶媒効果(24aWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 27aYA-9 半導体量子ナノ構造中の励起子の超高速位相ロック分光
- フェムト秒時間域での励起子の超高速光制御
- 結合量子細線の電子状態と発光特性
- 超高速光・電子融合素子へ向けた結合量子細線構造の作製
- V溝量子細線の光・電子素子への応用
- InP(311)A段差基板上へ成長したトレンチ型InGaAs量子細線FETの負性抵抗
- InGaAs量子細線FETから明瞭な負性抵抗の観察
- 負性抵抗素子を用いた集積型超高周波発振器を構成する共振回路としてのアンテナの解析
- C-10-8 負性抵抗デュアルチャネルトランジスタを用いたテラヘルツ発振器の解析(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 高精度マイケルソン干渉計による超高速パルス対の位相安定システム
- 第9回リフレッシュ理科教室(香川会場)開催報告
- 第8回リフレッシュ理科教室(中国四国支部 香川会場)開催報告
- HP-VEEを用いた制御プログラム
- 微小領域反射率測定装置を用いた面発光型半導体レーザの評価
- アマチュア無線の遠隔操作を利用したコミュニケーション教育に関する研究
- 金拡散シリコンMOSFET
- 流量変調法による量子細線レーザの基底レベル発振
- 流量変調法による量子細線レーザの基底レベル発振
- フォトニック結晶方向性結合器の結合長短縮と消光比の改善(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- フォトニック結晶方向性結合器の結合長短縮と消光比の改善(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 階段状線欠陥導波路を用いたフォトニック結晶方向性結合器(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
- 階段状線欠陥導波路を用いたフォトニック結晶方向性結合器(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
- リッジ基板上の一回の選択MOCVDによる InGaAs/AIGaAs 量子細線DFBレーザー
- 高精度・高安定マイケルソン干渉計による量子細線のコヒーレント制御
- 結合量子ナノ構造の作製と発光特性 (特集 光波高度制御技術の研究)
- 原子間力顕微鏡および顕微ホトルミネセンスによるV溝形AlGaAs/GaAs量子細線の界面ラフネス評価
- 原子間力顕微鏡および顕微ホトルミネセンスによるV溝形AlGaAs/GaAs量子細線の界面ラフネス評価
- 流量変調エピタキシー法を用いたAlGaAs/GaAs量子細線の作製とその光学特性
- 25pXP-5 半導体量子ドットを用いた量子ビット,量子ゲート(領域5, 領域1, 領域4合同シンポジウム:半導体光物性から量子情報通信へのアプローチ,領域5(光物性))
- 19pYJ-4 サブミクロングレーティング上の高密度InGaAs/AlGaAs量子細線の発光特性
- 厚いポーラスシリコンにおけるフォトエッチング効果
- HP-VEEを用いた制御プログラム(2)
- 面発光レーザ用光変調器の設計
- 陽極酸化アルミニウム膜による片持ち梁の製作
- 25pHB-7 コロイド状CdSe/ZnS量子ドットの位相緩和の溶媒効果(25pHB 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- ポリマー光回路を用いた面出射光源の研究(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 27aYE-2 半導体量子ナノ構造を含む光導波路中のフェムト秒光パルス伝搬(27aYE 超高速現象,領域5(光物性分野))
- 真空アニール法がAl_2O_3/GaSb MOS界面に与える影響(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)