光化学エッチングによる厚い多孔質シリコンからのフォトルミネッセンス
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概要
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We have investigated influence of the photochemical etching(PE) on wavelength of photoluminescence(PL) emitting from the thick porous silicon(Si) of 60μm thickness. The thick porous Si has a double layer structure, i.e., surface layer and internal layer. It was found that the PL peak wavelength continues to shift toward shorter wavelength, until the surface layer is disappeared by the PE treatment. After the disappearance of surface layer, the PL peak wavelength emitting from the internal layer shifts toward longer wavelength, as the internal layer is etched.
- 東海大学短期大学部の論文
著者
-
飯田 昌盛
東海大学工学部電子工学科
-
岡田 工
東海大学短期大学部
-
飯田 昌盛
東海大学短期大学部
-
飯田 昌盛
東海大学短期大学部高輪校舎情報・ネットワーク学科
-
安森 偉郎
東海大学短期大学部高輪校舎情報・ネットワーク学科
-
崔 一英
東海大学短期大学部(高輪)
-
岡田 工
東海大学チャレンジセンター
-
安森 偉郎
東海大学教育研究所
-
安森 偉郎
東海大学短期大学部
-
飯田 昌盛
東海大学
-
飯田 昌盛
東海大学短大
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