ジメチルホルムアルデヒド溶液の電気分解により合成したダイヤモンドライクカーボン膜
スポンサーリンク
概要
著者
-
飯田 昌盛
東海大学工学部電子工学科
-
黒須 楯生
東海大
-
飯田 昌盛
東海大学短期大学部
-
木村 英樹
東海大学大学院総合理工学研究科
-
黒須 楯生
東海大学大学院総合理工学研究科
-
崔 一英
東海大学短期大学部(高輪)
-
黒須 楯生
東海大学電子情報学部エレクトロニクス学科
-
岡田 工
東海大学チャレンジセンター
-
安森 偉郎
東海大学教育研究所
-
飯田 昌盛
東海大学
関連論文
- 低消費電力マイコンを用いた高効率モータコントローラの開発
- ソーラー自動車における自作リアクタンスを用いた電池補助の考察
- 第51回応用物理学関係連合講演会(2004年)
- Auを添加したシリコンMOS構造の容量-電圧特性
- 熱フィラメントCVD法を用いた多結晶ダイヤモンド薄膜合成中における膜質判定
- Ib単結晶ダイヤモンド(111),(100)面からの電子放出
- CVDダイヤモンド薄膜表面からの電子放出と欠陥密度との関係
- CVDダイヤモンド薄膜合成における水の添加効果
- 炭素系硬質膜で被覆された陰極からの電子放射機構
- Siトンネルエミッタトランジスタ(Si MIS TET)の電気的特性と高速動作性に関する検討
- GaAs 反転ベース層バイポーラトランジスタの電気的特性
- 水素アニールされたダイヤモンドp型表面伝導層の酸化性ガスによる反応速度依存性
- 24p-M-5 GaAs中に埋め込まれたSi超薄膜のラマン散乱
- 非晶質および新材料を用いた光デバイス最前線
- 導体紙の電気的性質
- 合成ダイヤモンド薄膜によるセンサ
- 厚いポーラスシリコンの光化学エッチングによる発光領域の深さ方向への移動
- 電気化学的に堆積されたダイヤモンド状カーボン膜の電気的性質
- ハイブリッド車用パワー半導体の動向
- 鈴鹿サーキットにおける800Wソーラーカーの走行特性の検証
- エコ電気自動車の未来
- 発電電力800Wクラス軽量ソーラーカー設計製作
- Paethon 2004 のためのソーラーカー"Tokai Falcon"の改良
- 電気二重層キャパシタを搭載したソーラーカーのエネルギー効率改善
- 有機系電気二重層キャパシタによるソーラーカーのエネルギー効率の改善
- メタノールのみを用いた簡易ダイヤモンド合成装置の製作
- 簡易型熱フィラメントCVD法による多結晶ダイヤモンド薄膜の合成
- ジメチルホルムアルデヒド溶液の電気分解により合成したダイヤモンドライクカーボン膜
- 有機溶液の電気分解により合成したアモルファス炭素薄膜
- 光化学エッチングによる厚い多孔質シリコンからのフォトルミネッセンス
- 光化学エッチングによる厚い多孔質シリコンからのフォトルミネッセンス
- 多孔質シリコンの光化学エッチング
- 酸化多孔質シリコンを用いたマイクロブリッジの製作
- 酸化多孔質シリコン犠牲層を用いたマイクロブリッジの製作
- マイクロエレクトロメカニカルシステムについて
- 実験教育のための半導体デバイス製作技術(II) -p-MOSICの製作とその電気的特性-
- 実験教育のための半導体デバイス製作技術
- 東海大学短期大学部におけるIC教育
- 粒径の異なるTiO_2を用いた色素増感太陽電池用電極の製作
- 競技用小型電気自動車用高効率ブラシレスDCモータの開発
- 競技用燃料電池車上での水素加湿による発電出力の向上
- 電気二重層キャパシタを用いたエネルギー凝集システム
- ダイヤモンド薄膜を用いて作製したショットキーダイオード容量のNO_2ガス依存性
- 単結晶シリコン表面の反射防止構造の作製および評価
- 炭素源溶液に水を混合して堆積したダイヤモンド薄膜の結晶性
- アモルファス半導体におけるCURRENT CREEP現象
- アモルファス半導体における電気伝導機構の温度依存性
- アモルファス半導体のプレスイッチ状態の電気伝導機構
- 2a-D-6 GaAs/(AlAs)_n/GaAs単一量子壁のラマン散乱
- 1996年ワールド・ソーラー・チャレンジのための東海大学ソーラー自動車の特性改善と結果
- ダイヤモンド接合ダイオードの電気的特性
- 2a-B-8 Tourmaline Group 結晶の誘電的性質
- 1993年度World Solar Challenge データにもとづく東海大ソーラー自動車の走行エネルギーと電力収支
- 間接飛翔筋を有する小形飛翔昆虫の翅の自励振動に関する研究
- 拡張TSチャートによるリアルタイムシステムのタイミング検証
- 拡張TSチャートによるPrologの記述について
- 拡張TSチャートによるマルチプログラミングとタスク分割について
- DF型TSチャートによる排他的処理の記述と解析
- DF型TSチャートで記述されたプログラムの並列性の抽出
- 層流における二次元拘束噴流の可視化解析
- ダイヤモンドはデパイスの宝石になれるか
- 層流における二次元拘束噴流の数値解析 : 剥離点,再付着点,再循環領域について
- 流れ場における数値計算の効率化 : SOR法に対するファジイ理論の適応
- 非晶質GeTe薄膜における電気-熱的結晶化現象
- 光による閾値制御アモルファス・スイッチング素子の可能性
- アモルファス半導体のSpace-Charge Overlappingによるスイッチング特性の解析
- アモルファス半導体のスイッチング機構
- Silicon Long Base Diodeの順方向特性における圧力効果
- 負性抵抗素子の過渡応答の解析
- Chalcogenide系物質のスイッチング特性
- 18p-A-11 Au doped Si中のcarrierの寿命の計算
- 16p-A-5 ガラス半導体の負容量効果
- 液相からの炭素系薄膜合成時における電解電流の時間依存性--酢酸を含むアセトニトリルの場合
- ダイヤモンド薄膜における表面伝導層の形成モデル : 多結晶薄膜とホモエピタキシャル薄膜の比較
- Y-Ba-Cu-O系超伝導体における磁束トラップを利用した磁界・磁極センサ
- 3G316 溶液中の液晶分子の動的構造
- レーザー溶融ベルヌーイ法によるYBCO超伝導体結晶の作成とその評価
- カルコゲナイド系非晶質半導体の閾値スイッチ機構のモデル
- Au-非晶質半導体薄膜-Au構造の電気伝導機構
- アモルファス半導体における空間電荷制限スイッチング
- CVDダイヤモンド薄膜の電子デバイスへの応用 (ダイヤモンド薄膜の成膜技術・評価および応用)
- 熱フィラメントCVD法によるダイヤモンドp-n接合の作製
- 半導体性ダイヤモンド薄膜の作製と物性
- ダイヤモンド薄膜の合成〔第1報〕
- 熱フィラメントCVD装置を用いたSi基板表面へのSiC形成
- 16p-A-4 ガラス半導体バルク中の負性抵抗領域
- 易動度変調による電流制御型負性抵抗の解析
- スパッタ法によるSiゲート技術を用いて製作した集積回路(第1報)
- PIN-Diodeの過渡応答(I)
- P-I-N負性抵抗ダイオードの光応答
- Deep centerのmobility modulationによる負性抵抗
- BPSCCO系超伝導体のフィッシング効果への酸化銀の影響
- Agを添加したBPSCCO超伝導体のフィッシング効果
- YBaCuO系超伝導体の電圧発生機構とメモリ効果
- 陽極酸化アルミニウム膜による片持ち梁の製作
- P-I-N Diodeの解析
- PIN-diodeの電気的特性 : 半導体 : ダイオード
- PIN-Diodeの過渡応答(II)
- 半導体の電流制御型負性抵抗発生の判定例
- CVDダイヤモンド薄膜の電子デバイスへの応用