Siトンネルエミッタトランジスタ(Si MIS TET)の電気的特性と高速動作性に関する検討
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概要
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A Si MIS Tunnel Emitter Transistor (Si MIS TET), a new type of bipolar transistor, was fabricated and its electrical characteristics were investigated. The Si MIS TET showed the common emitter mode current gain β=76 at room temperature. The fabricated Si MIS TET was found a good candidate for high speed device because of a short transit time of electron in the inversion-base layer.
- 東海大学の論文
著者
-
黒須 楯生
東海大
-
黒須 楯生
東海大学工学部
-
吉本 智巳
東洋大学工学部電子情報工学科
-
吉本 智巳
北海道東海大学工学部電子情報工学科
-
木村 英樹
東海大学工学部電子工学科
-
木村 英樹
東海大学大学院総合理工学研究科
-
黒須 楯生
東海大学大学院総合理工学研究科
-
黒須 楯生
東海大学電子情報学部エレクトロニクス学科
-
木村 英樹
東海大学工学研究科
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