過渡的負性光伝導特性の照射光強度およびAu準位荷電状態依存性
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概要
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Transient negative photoconductivity characteristics (TRANP) observed in Au doped Si were investigated by changing the light pulse intensity. Also experimental results were obtained for various charge states of Au impurity level at thermal equilibrium state. Simulations with respect to the experimental results were carried out on the base of the previously proposed model for the occurrence of the TRANP. The simulated results agreed with those of experimentally obtained.
- 東海大学の論文
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