Auを添加したSiにおける過渡的負性光伝導の温度依存症
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概要
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A transient negative photoconductivity (TRANP) observed in silicon doped with gold atoms has been investigated. The temperature dependence of the peak value of the TRANP-current I_<np> was measured. The I_<np> increased with the increase in the ambient temperature of the sample and reached a maximum value at a certain temperature, and decreased with the further increase in the temperature. It was found that the increase in I_<np> is caused by increase in electron concentration in the conduction band. On the other hand, the decrease in I_<np> could be explained by the increase in electron emission coefficient at gold acceptor level with the increasing temperature. It was concluded that the temperature dependence of TRANP-current is dominated by these effects.
- 東海大学の論文
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