ウエットエッチング法によって作製したp型GaAs陰極からの電界放射特性
スポンサーリンク
概要
著者
-
岩田 達夫
北海道東海大学大学院 理工学研究科 電子情報工学専攻
-
吉本 智巳
東洋大学工学部電子情報工学科
-
吉本 智巳
北海道東海大学工学部電子情報工学科
-
岩田 達夫
東京大学生産技術研究所
-
横川 直博
京セミ株式会社恵庭事業所
-
紙丸 大
北海道東海大学工学部
-
菊池 悟
京都セミコンダクター恵庭開発センター
-
横川 直博
京都セミコンダクター恵庭開発センター
関連論文
- 窒化ホウ素微粒子からの電界放射(デバイス技術)
- マイコンカーラリー大会用オリジナルマイコンカーの製作と大会参加報告
- メタノール中の通電により生成するダイヤモンドライクカーボン(DLC)を被覆した単一タングステン電界放射陰極からの電子放射特性
- カーボンナノチューブを含むポリテトラフルオロエチレン(PTFE)薄膜からの電界電子放射
- 炭素系硬質膜で被覆された陰極からの電子放射機構
- p型GaAs陰極からの電界放射特性の熱処理による変化
- 通常カリキュラムの実験時間内で実習可能な半導体デバイスプロセスの工夫
- ウエットエッチング法によって作製したp型GaAs陰極からの電界放射特性
- 東海大学付属第四高校生が北海道東海大学の授業科目に対して持つイメージの調査
- Fowler-Nordheim プロットの勾配の連続的検出法の開発と熱脱離スペクトル検出への応用
- 集束イオンビームプロセスを用いて製作したSiエミッタの電界放射特性
- Si基板上に製作したAu/n-Geショットキー障壁ダイオードの電気的特性
- 集束イオンビームを用いた探針加工の研究
- Siトンネルエミッタトランジスタ(Si MIS TET)の電気的特性と高速動作性に関する検討
- 学生実習向けに簡単化された半導体デバイス製作プロセス
- 「集積回路の実験(1)(2)」実施報告
- LB膜形成法によるグルコース電極の試作
- Si MISトンネル・エミッタ・トランジスタ(Si MIS TET)の電気的特性
- GaAs 反転ベース層バイポーラトランジスタの電気的特性
- アトムプローブ法によるメタノール中の通電により金属基材上に堆積した炭素系被膜の分析
- 小型Mottスピン分析器のSP-SEMへの応用
- 小型Mottスピン分析器のSP-SEMへの応用
- 高電界下で加熱されたRe電界放射陰極の変形
- 小型Mottスピン分析器の開発
- 集束イオンビームの深針加工への応用
- 電界放射電流の時間変化を利用した超高真空領域の圧力の連続的表示法
- C-4-2 バンドパス機能内蔵型 1.5μm 帯選択受光 PIN フォトダイオード
- 電界放射顕微鏡を用いた圧力測定