Si MISトンネル・エミッタ・トランジスタ(Si MIS TET)の電気的特性
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概要
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A Si Metal Insulator Semiconductor Tunnel Emitter Transistor (Si MIS TET) which has a quite thin base layer formed by an inversion hole layer was fabricated. A common emitter current gain of 5 was obtained at room temperature. It was confirmed that the inversion hole layer really works as a base layer of the Si MIS TET. It was found that the electric field of SiO_2 emitter barrier is smaller than the electric break down field.
- 東海大学の論文
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