GaAs 反転ベース層バイポーラトランジスタの電気的特性
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概要
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A GaAs Inversion-base Bipolar Transistor (GaAs IBT), which has a base layer formed by the two dimensional hole gas in the inversion layer, is fabricated. As the results, the common emitter current gain of the GaAs IBT is found to depend on the AlAs emitter barrier thickness. The maximum common emitter current gain of β=280 is obtained for the GaAs IBT which has the 100A AlAs emitter barrier. By analyzing cutoff frequency of the GaAs IBT, it is confirmed that the GaAs IBT is a good candidate for the high-frequency operating devices.
- 東海大学の論文
著者
-
飯田 昌盛
東海大学工学部電子工学科
-
黒須 楯生
東海大
-
黒須 楯生
東海大学工学部
-
吉本 智巳
東洋大学工学部電子情報工学科
-
吉本 智巳
北海道東海大学工学部電子情報工学科
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黒須 楯生
東海大工
-
黒須 楯生
東海大 情報理工
-
飯田 昌盛
東海大学工学部
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