<調査報告>学生実習向けに簡単化された半導体デバイス製作プロセス
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概要
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A simplified fabrication process of p-MOSFET was developed for classroom use by undergraduate students. The process contains almost all elemental manufacturing procedures of an integrated circuit (IC), but only four days are required to complete the course. Since annealing and boiling with acid are omitted and a diffusion layer is formed by the solid diffusion source, a very high degree of safety is possible.
- 北海道東海大学の論文
- 1991-03-20
著者
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岩田 達夫
北海道東海大学大学院 理工学研究科 電子情報工学専攻
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吉本 智巳
東洋大学工学部電子情報工学科
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吉本 智巳
北海道東海大学工学部電子情報工学科
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岩田 達夫
東京大学生産技術研究所
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山崎 正喜
北海道東海大学札幌学務課
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佐方 利道
北海道東海大学工学部電子情報工学科
-
山崎 正喜
北海道東海大学工学部電子情報工学科
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