キャリア注入及び捕獲を考慮したMNOS構造記憶素子の書き込み/消去動作
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概要
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It is well known that MNOS devices have the property working as nonvolatile memories. We fabricated MNOS capacitors and FET, and their electrical properties were measured. The distance of charge centroid in Silicon Nitride was measured and found to increase with increasing of write voltage and the amounts of trapped charge. The direction of carrier injection from gate or substrate to Silicon Nitride was found to be changed depending on the oxide thickness. MNOS memory devices, in which the thickness of Silicon Nitride is chosen as two times of the distance of charge centroid, are constructed for the sake of low voltage operation and wide width of memory window.
- 東海大学の論文
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