熱生成 SiO_2 中での電子捕獲の温度依存性

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概要

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• Electron trapping in thermally grown SiO_2 has been studied at temperatures between 97 and 373K, using metal-silicon dioxide-silicon (MOS) structures. The electrons are injected in the dark using the avalanche injection method. "Water-Related Traps" are dominant at every temperature, and its temperature dependence of the capture cross section is weak. An enhanced electron trapping at low temperature is attributable to shallow-level centers. Thermal detrapping of the electrons is able to ignore on the estimate of the capture cross section except high temperature.

• 東海大学の論文

著者

• 佐方 利道

  北海道東海大学工学部電子情報工学科

• 藤平 充明

  東海大学工学研究科修士課程

• 佐方 利道

  東海大学工学部電子工学科

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