集束イオンビームプロセスを用いて製作したSiエミッタの電界放射特性
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概要
著者
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岩田 達夫
北海道東海大学大学院 理工学研究科 電子情報工学専攻
-
武笠 幸一
北海道大学創成科学共同研究機構
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末岡 和久
北海道大学大学院情報科学研究科
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吉本 智巳
東洋大学工学部電子情報工学科
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吉本 智巳
北海道東海大学工学部電子情報工学科
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岩田 達夫
東京大学生産技術研究所
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武笠 幸一
北海道大学 大学院工学研究科 ナノエレクトロニクス分野
-
末岡 和久
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
末岡 和久
北海道大学大学院工学研究科ナノエレクトロニクス分野
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