p型GaAs陰極からの電界放射特性の熱処理による変化
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概要
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p型GaAs陰極に250℃から6500℃の範囲で熱処理を施した場合の電界放射特性の変化を調べた.550℃以下の熱処理ではp型半導体特有の電子放射特性が得られ,これ以上の温度ではそのような特性は失われた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-12-01
著者
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