吉本 智巳 | 東洋大学工学部電子情報工学科
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概要
関連著者
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吉本 智巳
東洋大学工学部電子情報工学科
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吉本 智巳
北海道東海大学工学部電子情報工学科
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岩田 達夫
東京大学生産技術研究所
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岩田 達夫
北海道東海大学大学院 理工学研究科 電子情報工学専攻
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佐方 利道
北海道東海大学工学部電子情報工学科
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山崎 正喜
北海道東海大学札幌学務課
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山崎 正喜
北海道東海大学工学部電子情報工学科
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武笠 幸一
北海道大学創成科学共同研究機構
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末岡 和久
北海道大学大学院情報科学研究科
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飯田 昌盛
東海大学工学部電子工学科
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黒須 楯生
東海大
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黒須 楯生
東海大学工学部
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横川 直博
京セミ株式会社恵庭事業所
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武笠 幸一
北海道大学 大学院工学研究科 ナノエレクトロニクス分野
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末岡 和久
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
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末岡 和久
北海道大学大学院工学研究科ナノエレクトロニクス分野
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三田村 好矩
北海道東海大学工学部
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三田村 好矩
北海道東海大学工学部電子情報工学科
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坂本 邦博
電総研
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坂本 邦博
電子技術総合研究所
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佐々木 泰
北海道東海大学工学部
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尾張 真則
東京大学生産技術研究所
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飯田 昌盛
東海大学短期大学部
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飯田 昌盛
東海大学短期大学部高輪校舎情報・ネットワーク学科
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吉田 寛之
東京大学生産技術研究所
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森田 能弘
東京大学生産技術研究所
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三上 素直
東京大学生産技術研究所
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間山 憲仁
東京大学生産技術研究所
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油井 寿徳
東洋大学大学院工学研究科機能システム専攻
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庄 喜之
東海大学工学部電気電子工学科
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安森 偉郎
東海大学短期大学部高輪校舎情報・ネットワーク学科
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紙丸 大
北海道東海大学工学部
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菊池 悟
京都セミコンダクター恵庭開発センター
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横川 直博
京都セミコンダクター恵庭開発センター
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亀井 孝明
北海道東海大学工学部
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鈴木 和郎
北海道東海大学工学部
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木村 英樹
東海大学工学部電子工学科
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津田 圭四郎
北海道東海大学高額部生物工学科
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戸坂 圀夫
北海道東海大学高額部生物工学科
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笠原 宏一
北海道東海大学高額部生物工学科
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矢嶋 昭三
北海道東海大学工学部電子情報工学科
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石塚 弘美
北海道東海大学高額部生物工学科
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木村 英樹
東海大学大学院総合理工学研究科
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黒須 楯生
東海大学大学院総合理工学研究科
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黒須 楯生
東海大工
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笠原 宏一
北海道東海大学工学部生物工学科
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横川 直博
京セミ株式会社
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黒須 楯生
東海大学電子情報学部エレクトロニクス学科
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安森 偉郎
東海大学教育研究所
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笠原 宏一
北海道東海大・工学部
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安森 偉郎
東海大学短期大学部
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飯田 昌盛
東海大学
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木村 英樹
東海大学工学研究科
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飯田 昌盛
東海大学短大
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黒須 楯生
東海大 情報理工
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鈴木 和郎
北海道東海大
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三田村 好矩
北海道東海大学
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飯田 昌盛
東海大学工学部
著作論文
- 窒化ホウ素微粒子からの電界放射(デバイス技術)
- メタノール中の通電により生成するダイヤモンドライクカーボン(DLC)を被覆した単一タングステン電界放射陰極からの電子放射特性
- カーボンナノチューブを含むポリテトラフルオロエチレン(PTFE)薄膜からの電界電子放射
- 炭素系硬質膜で被覆された陰極からの電子放射機構
- p型GaAs陰極からの電界放射特性の熱処理による変化
- 通常カリキュラムの実験時間内で実習可能な半導体デバイスプロセスの工夫
- ウエットエッチング法によって作製したp型GaAs陰極からの電界放射特性
- 東海大学付属第四高校生が北海道東海大学の授業科目に対して持つイメージの調査
- Fowler-Nordheim プロットの勾配の連続的検出法の開発と熱脱離スペクトル検出への応用
- 集束イオンビームプロセスを用いて製作したSiエミッタの電界放射特性
- Si基板上に製作したAu/n-Geショットキー障壁ダイオードの電気的特性
- 集束イオンビームを用いた探針加工の研究
- Siトンネルエミッタトランジスタ(Si MIS TET)の電気的特性と高速動作性に関する検討
- 学生実習向けに簡単化された半導体デバイス製作プロセス
- 「集積回路の実験(1)(2)」実施報告
- LB膜形成法によるグルコース電極の試作
- Si MISトンネル・エミッタ・トランジスタ(Si MIS TET)の電気的特性
- GaAs 反転ベース層バイポーラトランジスタの電気的特性