スパッタ法によるSiゲート技術を用いて製作した集積回路(第1報)
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概要
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A fabrication technique of p-channel MOS IC is examined by the process in which the four photomasks are used. It is shown that this process will be utilized for the training of students and the tool for the semiconductor device research. Deposited Si films by sputtering which are subsequently diffused with boron are used as the gate of the MOS IC. From the electrical characteristics of FET, inverter and ring oscillator circuits designed and prepared with 20 μm rule, it is verified that the sputtered poly-Si can be applied to the Si gate MOS process for educational purposes. A possibility of the simplified two or three photomask process using this process is also discussed.
- 東海大学の論文
著者
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飯田 昌盛
東海大学工学部電子工学科
-
秋葉 幸男
東海大
-
黒須 楯生
東海大
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秋葉 幸男
東海大学工学部
-
黒須 楯生
東海大学工学部
-
飯田 昌盛
東海大学短期大学部
-
黒須 楯生
東海大学電子情報学部エレクトロニクス学科
-
崔 一煐
東海大学開発技術研究所
-
崔 一煐
東海大学開発技術研究所
-
飯田 昌盛
東海大学工学部
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