金を添加したSi p^+-i-n^+ダイオードの負性抵抗特性に対する補助電極によるキャリア注入効果 : off状態の伝導機構と負性抵抗制御機構
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概要
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Influence of carrier injection controlled by the third electrode (base-region) to the negative resistance characteristics in Au doped Si p^+-i-n^+ diode was studied by the experiment and the simulation calculation. In order to control the carriers injected from p^+- or n^+- region, two types of sample were fabricated. One is a p^+-i-n^+ diode which has a p-region (base-region) around the n^+-region (referred to as electron injection type diode, E.I.T. diode) and the other one has a n-region (base-region) around the p^+-region (referred to as hole injection type diode, H.I.T. diode). Negative resistance characteristics were measured by changing the current through the base region (I_B). It was found that in the case of the H.I.T. diode, threshold current of the negative resistance characteristic decreases with the increase in I_B, i. e., the density of injected hole, and that in the case of E.I.T. diode, threshold current increases with the increase in I_B, i.e., the density of injected electron. However, threshold voltage decreased with the increase in I_B in both types of diodes. By using linear approximation, a simulation for the occurrence of the negative resistance in the current-voltage characteristic was carried out by taking into account for the regional approximation method. The result was in good agreement with the experimental result. It was confirmed from the experimental results that the conduction mechanism of offstate is dominated by space charge limited current due to injected electrons.
- 東海大学の論文
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