秋葉 幸男 | 東海大
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概要
関連著者
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秋葉 幸男
東海大
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秋葉 幸男
東海大学工学部
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飯田 昌盛
東海大学工学部電子工学科
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黒須 楯生
東海大
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黒須 楯生
東海大学電子情報学部エレクトロニクス学科
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黒須 楯生
東海大学工学部
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飯田 昌盛
東海大学工学部
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飯田 昌盛
東海大学短期大学部
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飯田 昌盛
東海大学
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黒須 楯生
東海大 情報理工
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飯田 昌盛
東海大学短期大学部高輪校舎情報・ネットワーク学科
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秋葉 幸男[他]
東海大学工学部電子工学科
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広瀬 洋一
東海大学電子情報学部エレクトロニクス学科
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広瀬 洋一
東海大 電子情報
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李 尚憲
東海大学工学部電子工学科
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広瀬 洋一
日本工業大学
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広瀬 洋一
東海大学工学部電子工学科
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崔 一煐
東海大学開発技術研究所
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広瀬 洋一
東海大学工学部
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額賀 栄二
東海大学工学部
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木村 英樹
東海大学工学部電子工学科
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木村 英樹
東海大学 工学部 電気電子工学科
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額賀 栄二
東海大学工学部電子工学科
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崔 一煐
東海大学工学研究科
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木村 英樹
東海大学工学研究科
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木村 英樹
東海大学工学部電気電子工学科
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黒須 楯生[他]
東海大学工学部電子工学科
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白石 正
東海大学工学部通信工学科
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白石 正
東海大学工学部
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庄 善之
東海大学工学部
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和泉 富雄
東海大学工学部
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黒須 楯生
東海大学大学院総合理工学研究科
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庄 善之
東海大学電子情報学部電気電子工学科
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庄 善之
東海大学工学部電気電子工学科
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和泉 富雄
東海大学総合科学技術研究所
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ペチャクン トンポン
東海大学工学研究科
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李 成奇
電総研
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竹田 敏雄
東海大学工学部電子工学科
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竹田 敏雄
東海大学工学部福岡教養部電子工学科
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清田 英夫
九州東海大 工
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岡野 健
東海大学工学研究科
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清田 英夫
東海大学工学研究科
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宮園 泰
東海大学工学研究科
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李 成奇
東海大学工学研究科
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ウィスット チィチルンルアウン
モンクット王工科大学ラカバン工学部電子工学科
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内田 修
東海大学工学部
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吉田 愼一
東海大学工学部
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広瀬 洋一
東海大
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崔 一煐
東海大学開発技術研究所
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スパデック ソムキャット
東海大学工学部電子工学科
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岡崎 祥平
東海大学工学研究科
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佐藤 宏
東海大学工学研究科
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深沢 智好
山形日本電気株式会社
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深沢 智好
山形日本電気
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佐藤 宏
東海大工
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木村 英樹[他]
東海大学工学部電子工学科
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深沢 智好[他]
山形日本電気株式会社
著作論文
- 熱フィラメントCVD法を用いた多結晶ダイヤモンド薄膜合成中における膜質判定
- Ib単結晶ダイヤモンド(111),(100)面からの電子放出
- CVDダイヤモンド薄膜表面からの電子放出と欠陥密度との関係
- CVDダイヤモンド薄膜合成における水の添加効果
- ダイヤモンド薄膜を用いた固体3極素子の製作
- p-型ダイヤモンド/n-型シリコンヘテロ接合デバイスのバックワードダイオード特性
- アモルファス半導体における電気伝導機構の温度依存性
- 水素雰囲気中での熱処理による半導体ダイヤモンドの電気伝導性への影響
- アモルファス半導体のスイッチング機構
- ダイヤモンド薄膜における表面伝導層の形成モデル : 多結晶薄膜とホモエピタキシャル薄膜の比較
- Y-Ba-Cu-O系超伝導体における磁束トラップを利用した磁界・磁極センサ
- カルコゲナイド系非晶質半導体の閾値スイッチ機構のモデル
- 集積化された負性抵抗p^+-i-n^+ダイオード間のON状態転送機構
- スパッタ法によるSiゲート技術を用いて製作した集積回路(第1報)
- BPSCCO系超伝導体のフィッシング効果への酸化銀の影響
- Agを添加したBPSCCO超伝導体のフィッシング効果
- YBaCuO系超伝導体の電圧発生機構とメモリ効果
- 注入ゲートを有するシリコンp^+-i-n^+ダイオードの電圧制御型負性抵抗の簡単化された理論
- 金を添加したSi p^+-i-n^+ダイオードの負性抵抗特性に対する補助電極によるキャリア注入効果 : off状態の伝導機構と負性抵抗制御機構
- MOS形負性抵抗ダイオードのゲート制御機構