集積化された負性抵抗p^+-i-n^+ダイオード間のON状態転送機構
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概要
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Transfer mechanism of ON-state between Si p^+-i-n^+ diodes showing a negative resistance characteristic was studied. Arrays of bulk type and MOS type p^+-i-n^+ diodes in which i-region was doped with gold atoms were fabricated by using planar technique. From the experimental results, it was found that transfer of ON-state from one diode to other diode was possible. To investigate the transfer mechanism in more detail, a double pulse method was used in the experiments. Transfer of ON-state between p^+-i-n^+ diodes were explained in terms of the effect of carrier diffusion from filamentally current in the lateral direction to the adjacent diode. Similar experimental results of the transfer of ON-state in the bulk type diodes array were also obtained in the MOS type one.
- 東海大学の論文
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