注入ゲートを有するシリコンp^+-i-n^+ダイオードの電圧制御型負性抵抗の簡単化された理論
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
The Voltage Controlled Negative Resistance (VCNR) in silicon p^+-i-n^+ diode with injecting gate is studied. By considering the current controlled negative resistance due to double injection in p^+-i-n^+ diode, a model which is responsible for the mechanism of VCNR is proposed. A simplified theory is given on the basis of the model. The current-voltage characteristics calculated by applying this theory show VCNR-characteristics. The dependences of the current rising voltage, the peak current and the peak voltage are also calculated and compared with experimental results. A qualitative agreement between the theory and experiments is obtained.
- 東海大学の論文
著者
関連論文
- 熱フィラメントCVD法を用いた多結晶ダイヤモンド薄膜合成中における膜質判定
- Ib単結晶ダイヤモンド(111),(100)面からの電子放出
- CVDダイヤモンド薄膜表面からの電子放出と欠陥密度との関係
- CVDダイヤモンド薄膜合成における水の添加効果
- ダイヤモンド薄膜を用いた固体3極素子の製作
- p-型ダイヤモンド/n-型シリコンヘテロ接合デバイスのバックワードダイオード特性
- アモルファス半導体における電気伝導機構の温度依存性
- 水素雰囲気中での熱処理による半導体ダイヤモンドの電気伝導性への影響
- アモルファス半導体のスイッチング機構
- ダイヤモンド薄膜における表面伝導層の形成モデル : 多結晶薄膜とホモエピタキシャル薄膜の比較
- Y-Ba-Cu-O系超伝導体における磁束トラップを利用した磁界・磁極センサ
- カルコゲナイド系非晶質半導体の閾値スイッチ機構のモデル
- 集積化された負性抵抗p^+-i-n^+ダイオード間のON状態転送機構
- スパッタ法によるSiゲート技術を用いて製作した集積回路(第1報)
- BPSCCO系超伝導体のフィッシング効果への酸化銀の影響
- Agを添加したBPSCCO超伝導体のフィッシング効果
- YBaCuO系超伝導体の電圧発生機構とメモリ効果
- 注入ゲートを有するシリコンp^+-i-n^+ダイオードの電圧制御型負性抵抗の簡単化された理論
- 金を添加したSi p^+-i-n^+ダイオードの負性抵抗特性に対する補助電極によるキャリア注入効果 : off状態の伝導機構と負性抵抗制御機構
- MOS形負性抵抗ダイオードのゲート制御機構
- In-Situ Monitoring of Conduction Type on Semiconductive Diamond Thin Film.