水素雰囲気中での熱処理による半導体ダイヤモンドの電気伝導性への影響
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概要
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The resistivity of B-doped diamond film has been found to decrease by annealing in hydrogen atmosphere, although its crystallinity remains unchanged. On the other hand, the diamond film that has been annealed in the low pressure atmosphere without hydrogen changes its structure to the graphitic carbon. These two experiments seem to show that by the former treatment in hydrogen the high-resistivity surface layer of the film has been etched and thus the resistivity has decreased by about one order of magnitude. Furthermore, the secondary ion mass spectroscopy data suggests the existance of the layer of less boron contents, within 0.02μm from the film surface.
- 東海大学の論文
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