実験教育のための半導体デバイス製作技術

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 東海大学短期大学部の論文

著者

• 今井 幸雄

  東海大学短期大学部

• 飯田 昌盛

  東海大学短期大学部

• 崔 一英

  東海大学短期大学部(高輪)

• 飯田 昌盛

  東海大学

関連論文

• Auを添加したシリコンMOS構造の容量-電圧特性
• 熱フィラメントCVD法を用いた多結晶ダイヤモンド薄膜合成中における膜質判定
• Ib単結晶ダイヤモンド(111),(100)面からの電子放出
• CVDダイヤモンド薄膜表面からの電子放出と欠陥密度との関係
• CVDダイヤモンド薄膜合成における水の添加効果
• 炭素系硬質膜で被覆された陰極からの電子放射機構
• 導体紙の電気的性質
• 合成ダイヤモンド薄膜によるセンサ
• 厚いポーラスシリコンの光化学エッチングによる発光領域の深さ方向への移動
• 電気化学的に堆積されたダイヤモンド状カーボン膜の電気的性質
• メタノールのみを用いた簡易ダイヤモンド合成装置の製作
• 簡易型熱フィラメントCVD法による多結晶ダイヤモンド薄膜の合成
• 短期大学部高輪校舎における人間教育を目指した総合教育の新しい取り組み
• ジメチルホルムアルデヒド溶液の電気分解により合成したダイヤモンドライクカーボン膜
• Web環境を利用した学習環境構築の試み -東海大学短期大学部(高輪)現代文明論-
• 有機溶液の電気分解により合成したアモルファス炭素薄膜
• 導体紙の比抵抗測定
• 光化学エッチングによる厚い多孔質シリコンからのフォトルミネッセンス
• 電子回路の設計とその評価
• 光化学エッチングによる厚い多孔質シリコンからのフォトルミネッセンス
• 共に学ぶ、討論の場を模索した教育環境構築の試み -東海大学短期大学部(高輪)現代文明論-
• 多孔質シリコンの光化学エッチング
• プレーナ型ポーラスシリコンデバイスの有機ガス感応特性
• 陽極酸化アルミナ膜を用いた微小片持ち梁のたわみ特性
• 陽極酸化アルミニウム膜を用いた片持ち梁の振動
• 金拡散MOSFETの電気的特性
• 半導体微細加工技術の実践教育 -マイクロアートの製作-
• 酸化多孔質シリコンを用いたマイクロブリッジの製作
• 酸化多孔質シリコン犠牲層を用いたマイクロブリッジの製作
• マイクロエレクトロメカニカルシステムについて
• 実験教育のための半導体デバイス製作技術(II) -p-MOSICの製作とその電気的特性-
• 実験教育のための半導体デバイス製作技術
• 実験教育のための半導体デバイス製作技術
• 東海大学短期大学部におけるIC教育
• ダイヤモンド薄膜を用いて作製したショットキーダイオード容量のNO_2ガス依存性
• 単結晶シリコン表面の反射防止構造の作製および評価
• 炭素源溶液に水を混合して堆積したダイヤモンド薄膜の結晶性
• アモルファス半導体におけるCURRENT CREEP現象
• アモルファス半導体における電気伝導機構の温度依存性
• アモルファス半導体のプレスイッチ状態の電気伝導機構
• 2個の演算増幅器による電子ハイブリッド回路の実現について
• 変形負性インミタンス変換器を用いた任意コンダクタンス行列の一構成法とその応用
• 1996年ワールド・ソーラー・チャレンジのための東海大学ソーラー自動車の特性改善と結果
• ダイヤモンド接合ダイオードの電気的特性
• 2a-B-8 Tourmaline Group 結晶の誘電的性質
• 1993年度World Solar Challenge データにもとづく東海大ソーラー自動車の走行エネルギーと電力収支
• 間接飛翔筋を有する小形飛翔昆虫の翅の自励振動に関する研究
• 拡張TSチャートによるリアルタイムシステムのタイミング検証
• 拡張TSチャートによるPrologの記述について
• 拡張TSチャートによるマルチプログラミングとタスク分割について
• DF型TSチャートによる排他的処理の記述と解析
• DF型TSチャートで記述されたプログラムの並列性の抽出
• 層流における二次元拘束噴流の可視化解析
• ダイヤモンドはデパイスの宝石になれるか
• 層流における二次元拘束噴流の数値解析 : 剥離点,再付着点,再循環領域について
• 流れ場における数値計算の効率化 : SOR法に対するファジイ理論の適応
• 非晶質GeTe薄膜における電気-熱的結晶化現象
• 光による閾値制御アモルファス・スイッチング素子の可能性
• アモルファス半導体のSpace-Charge Overlappingによるスイッチング特性の解析
• アモルファス半導体のスイッチング機構
• Silicon Long Base Diodeの順方向特性における圧力効果
• 負性抵抗素子の過渡応答の解析
• Chalcogenide系物質のスイッチング特性
• 18p-A-11 Au doped Si中のcarrierの寿命の計算
• 液相からの炭素系薄膜合成時における電解電流の時間依存性--酢酸を含むアセトニトリルの場合
• ダイヤモンド薄膜における表面伝導層の形成モデル : 多結晶薄膜とホモエピタキシャル薄膜の比較
• Y-Ba-Cu-O系超伝導体における磁束トラップを利用した磁界・磁極センサ
• 3G316 溶液中の液晶分子の動的構造
• 電流モードデバイスおよびデジタルデバイスによる組込みモジュール設計の検討
• オブジェクト指向像による実践研究 : 広帯域システム設計
• A-1-1 広帯域演算増幅器の解析と応用の一検討 : FPGAを用いた応用システム
• FRAMドライバの設計の一検討 : 電流帰還形演算増幅器
• 3M-5 DSPを用いたマルチ複素変換システム
• A-1-63 アナログシステム設計の一検討 : 電流帰還形演算増幅器を用いた場合
• マルチシステム変換技術の一検討 : サンプリングレートを用いた変換技術
• アナログマルチシステムデバイス設計技術の一検討
• 接地形およびフローティング形能動アドミタンスシミュレーション回路の一実現法
• 情報演算処理の高速化に関する2, 3の考察
• フローティング並列負性コンダクタンスを有する負性Lおよび負性Cシミュレーション回路 : 電流帰還型演算増幅器を用いた場合の考察
• フローティング並列負性コンダクタンスを有する負性Lおよび負性Cシミュレーション回路
• ウオルシュ関数の性質と高速ウオルシュ変換
• ウォルシュ関数の2,3の性質
• アドミタンスシミュレーションによる正弦波発振器の2,3の考察
• 可変利得Lシミュレーションによる正弦波発振器の2,3の考察
• A-27 無損失接地形Lシミュレーション回路とCADの2,3の考察(A-1. 回路とシステムD,一般講演)
• 演算増幅器を用いたLCシミュレ-ション回路の実現について
• カルコゲナイド系非晶質半導体の閾値スイッチ機構のモデル
• Au-非晶質半導体薄膜-Au構造の電気伝導機構
• 熱フィラメントCVD法によるダイヤモンドp-n接合の作製
• 半導体性ダイヤモンド薄膜の作製と物性
• ダイヤモンド薄膜の合成〔第1報〕
• スパッタ法によるSiゲート技術を用いて製作した集積回路(第1報)
• BPSCCO系超伝導体のフィッシング効果への酸化銀の影響
• CVDダイヤモンド薄膜の電子デバイスへの応用
• チュビシェフ多項級数を用いた回路網設計の一方法について
• オペアンプ回路の2,3の応用
• オペアンプを用いた新しいフローティングインダクタンスシミュレーション回路と安定性
• 整合非対称双方向増幅器について
• オペアンプによるフローティングインダクタンスの実現とその安定性
• 2個のオペアンプによるフローティングインダクタンスの実現とその応用 (1)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク