18p-A-11 Au doped Si中のcarrierの寿命の計算
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1969-11-15
著者
関連論文
- Auを添加したシリコンMOS構造の容量-電圧特性
- 熱フィラメントCVD法を用いた多結晶ダイヤモンド薄膜合成中における膜質判定
- Ib単結晶ダイヤモンド(111),(100)面からの電子放出
- CVDダイヤモンド薄膜表面からの電子放出と欠陥密度との関係
- CVDダイヤモンド薄膜合成における水の添加効果
- 炭素系硬質膜で被覆された陰極からの電子放射機構
- GaAs 反転ベース層バイポーラトランジスタの電気的特性
- 24p-M-5 GaAs中に埋め込まれたSi超薄膜のラマン散乱
- 導体紙の電気的性質
- 合成ダイヤモンド薄膜によるセンサ
- 厚いポーラスシリコンの光化学エッチングによる発光領域の深さ方向への移動
- メタノールのみを用いた簡易ダイヤモンド合成装置の製作
- 簡易型熱フィラメントCVD法による多結晶ダイヤモンド薄膜の合成
- ジメチルホルムアルデヒド溶液の電気分解により合成したダイヤモンドライクカーボン膜
- 有機溶液の電気分解により合成したアモルファス炭素薄膜
- 光化学エッチングによる厚い多孔質シリコンからのフォトルミネッセンス
- 光化学エッチングによる厚い多孔質シリコンからのフォトルミネッセンス
- 多孔質シリコンの光化学エッチング
- 酸化多孔質シリコンを用いたマイクロブリッジの製作
- 酸化多孔質シリコン犠牲層を用いたマイクロブリッジの製作
- マイクロエレクトロメカニカルシステムについて
- 実験教育のための半導体デバイス製作技術(II) -p-MOSICの製作とその電気的特性-
- 実験教育のための半導体デバイス製作技術
- 実験教育のための半導体デバイス製作技術
- 東海大学短期大学部におけるIC教育
- ダイヤモンド薄膜を用いて作製したショットキーダイオード容量のNO_2ガス依存性
- 単結晶シリコン表面の反射防止構造の作製および評価
- 炭素源溶液に水を混合して堆積したダイヤモンド薄膜の結晶性
- アモルファス半導体におけるCURRENT CREEP現象
- アモルファス半導体における電気伝導機構の温度依存性
- アモルファス半導体のプレスイッチ状態の電気伝導機構
- 2a-D-6 GaAs/(AlAs)_n/GaAs単一量子壁のラマン散乱
- 1996年ワールド・ソーラー・チャレンジのための東海大学ソーラー自動車の特性改善と結果
- ソーラーカーの設計・製作及びその性能
- 2a-B-8 Tourmaline Group 結晶の誘電的性質
- 1993年度World Solar Challenge データにもとづく東海大ソーラー自動車の走行エネルギーと電力収支
- 間接飛翔筋を有する小形飛翔昆虫の翅の自励振動に関する研究
- 拡張TSチャートによるリアルタイムシステムのタイミング検証
- 拡張TSチャートによるPrologの記述について
- 拡張TSチャートによるマルチプログラミングとタスク分割について
- DF型TSチャートによる排他的処理の記述と解析
- DF型TSチャートで記述されたプログラムの並列性の抽出
- 層流における二次元拘束噴流の可視化解析
- ダイヤモンドはデパイスの宝石になれるか
- 層流における二次元拘束噴流の数値解析 : 剥離点,再付着点,再循環領域について
- 流れ場における数値計算の効率化 : SOR法に対するファジイ理論の適応
- 非晶質GeTe薄膜における電気-熱的結晶化現象
- 光による閾値制御アモルファス・スイッチング素子の可能性
- アモルファス半導体のSpace-Charge Overlappingによるスイッチング特性の解析
- アモルファス半導体のスイッチング機構
- Silicon Long Base Diodeの順方向特性における圧力効果
- 負性抵抗素子の過渡応答の解析
- Chalcogenide系物質のスイッチング特性
- 18p-A-11 Au doped Si中のcarrierの寿命の計算
- 16p-A-5 ガラス半導体の負容量効果
- 13p-H-7 LiNbO_3およびLiTaO_3のIsogyreの異常
- 真性ダイヤモンド薄膜内への注入キャリアによる電流輸送機構
- Special Report ダイヤモンドフィールドエミッタ--超薄型フラットパネルディスプレイ実現に向けて
- ソーラー電池動力自動車における実用化設計上の技術的諸問題調査と対策の研究
- 液相からの炭素系薄膜合成時における電解電流の時間依存性--酢酸を含むアセトニトリルの場合
- ダイヤモンド薄膜における表面伝導層の形成モデル : 多結晶薄膜とホモエピタキシャル薄膜の比較
- Y-Ba-Cu-O系超伝導体における磁束トラップを利用した磁界・磁極センサ
- 3G316 溶液中の液晶分子の動的構造
- 液晶の動的微細構造 -溶液中における液晶分子の分子間相互作用および分子配列秩序の形成-
- レーザー溶融ベルヌーイ法によるYBCO超伝導体結晶の作成とその評価
- トランスデューサについて : ハードフローチャート (オートマトン理論および言語理論の新展開)
- カルコゲナイド系非晶質半導体の閾値スイッチ機構のモデル
- 熱フィラメントCVD法によるダイヤモンドp-n接合の作製
- 半導体性ダイヤモンド薄膜の作製と物性
- ダイヤモンド薄膜の合成〔第1報〕
- 16p-A-4 ガラス半導体バルク中の負性抵抗領域
- 易動度変調による電流制御型負性抵抗の解析
- スパッタ法によるSiゲート技術を用いて製作した集積回路(第1報)
- PIN-Diodeの過渡応答(I)
- P-I-N負性抵抗ダイオードの光応答
- Deep centerのmobility modulationによる負性抵抗
- 教育実習用電子計算機シミュレータの製作について
- BPSCCO系超伝導体のフィッシング効果への酸化銀の影響
- 陽極酸化アルミニウム膜による片持ち梁の製作
- 神経結合モデルを用いた母音認識
- 母音の過渡特性(II)
- 母音の過渡特性
- 単調関数によるブール関数の分解とMOS論理回路合成への応用 (オートマトン理論および言語理論の新展開)
- 第2積和項展開による論理関数の分解とMOS論理回路合成への応用
- SQUID系の製作と微小磁化測定への応用
- 単調関数によるブ-ル関数の分解とMOS論理回路合成への応用
- 負関数による最小論理回路の故障検出(技術談話室)
- NOPゲ-トを用いた論理回路の低電力化の一方法(技術談話室)
- 情報処理技術の問題点と研究方法 : ティーチングマシンの将来
- P-I-N Diodeの解析
- PIN-diodeの電気的特性 : 半導体 : ダイオード
- PIN-Diodeの過渡応答(II)
- 児童の目におよぼすビデオゲームの影響
- 半導体の電流制御型負性抵抗発生の判定例
- CVDダイヤモンド薄膜の電子デバイスへの応用