24p-M-5 GaAs中に埋め込まれたSi超薄膜のラマン散乱
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1991-03-11
著者
-
林 豊
ソニー
-
中西 久幸
東理大理工
-
徳本 洋志
電総研
-
黒須 楯生
東海大
-
谷野 浩史
電総研
-
藤掛 秀樹
東理大理工
-
天野 茂樹
東海大工
-
川浪 仁志
電総研
-
黒須 楯生
東海大工
-
飯田 昌盛
東海大工
-
林 豊
電総研
-
徳本 洋志
Jrcat-nair
-
黒須 楯生
東海大 情報理工
関連論文
- アモルファスシリコン太陽電池の信頼度予測
- 微弱光応答解析による太陽電池の等価回路パラメ-タの抽出 (太陽電池-4-)
- 高効率太陽電池キャストシリコン結晶のキャラクタライゼ-ション (太陽電池-4-)
- 光照射グロ-放電分解法における照射光波長がa-Si:Hの光特性変化へ与える影響 (太陽電池-4-)
- 光照射グロ-放電分解法で作成した水素化アモルファスシリコンの特性-1- (太陽電池-4-)
- 水銀プロ-ブ法によるシリコンウエハの少数キャリア寿命の評価 (太陽電池-4-)
- 太陽電池の開発状況と将来展望 (太陽電池-4-)
- 太陽電池超高効率化の必要性と可能性 (新型太陽光発電システムの研究)
- モノシランのグロ-放電分解によるa-Si:Hの成長表面への可視光の照射効果
- MOSトランジスタ負荷MOS集積回路の基礎設計理論とその高速化について
- モジュ-ル構造におけるPhoton Collection Enhancementとレファレンス太陽電池の適正構造 (半導体デバイス特集-9-太陽電池-3-)
- シリコン太陽電池材料の少数キャリア寿命測定 (半導体デバイス特集-9-太陽電池-3-)
- 単結晶薄膜太陽電池の試作 (半導体デバイス特集-9-太陽電池-3-)
- 金属基板上のアモルファスシリコン太陽電池 (半導体デバイス特集-9-太陽電池-3-)
- 太陽電池開発の展望 (半導体デバイス特集-9-太陽電池-3-)
- 超低速電圧ランプ波駆動によるアモルファスシリコンダイオ-ドの容量測定の妥当性 (半導体デバイス特集-8-太陽電池-2-)
- モノシランの低周波グロ-放電分解を用いたアモルファスシリコンの成長 (半導体デバイス特集-8-太陽電池-2-)
- 低周波グロ-放電分解における直流電極バイアスのアモルファスシリコンの成長速度と膜質に与える影響 (半導体デバイス特集-8-太陽電池-2-)
- 分光ビ-ム誘起電流法(MBIC法)による多結晶Si結晶粒界の評価 (半導体デバイス特集-8-太陽電池-2-)
- 太陽電池研究開発の動向 (半導体デバイス特集-8-太陽電池-2-)
- 4a-PS-12 CuInSe_2のX線光音響分光
- 1p-M-5 STMによる原子スケール塑性現象 : ステップ形成のメカニズム
- 14a-W-2 Bi-2223薄膜の変調構造
- 26a-Y-2 Si(001)表面上ダイマー欠陥のダイナミックス
- 4a-M-11 STMによる有機超伝導体の観察IV
- 5p-ZB-15 低温STMによる単結晶酸化物超伝導体のトンネル分光
- 3a-B4-9 STM/STSによる4Hb-TaS2とGICの電子状態解析
- 28a-G-4 カルコパイライト型化合物の光照射による新物質創成
- 29p-M-4 CuInSe_2単結晶のラマン散乱
- 24p-M-5 GaAs中に埋め込まれたSi超薄膜のラマン散乱
- 5a-D-6 CuInSe_2のラマン散乱
- 2a-A-13 化合物半導体CdInGaS_4の光吸収温度変化と圧力変化
- 3a-B4-5 UHV-STMによるSi表面の観察(III)
- 5p-S4-15 STMによる有機超伝導体の観察II
- 6p-A2-5 三重障壁ダイオードの2つの量子井戸間の電子トンネリングに対する垂直磁場の効果
- 6p-A2-4 三重障壁ダイ・オードの2つの量子井戸間の電子トンネリングに対する平行磁場の効果
- C-11 走査型トンネル顕微鏡用圧電セラミックス微動機構(圧電材料・振動子)
- 電界イオン顕微鏡を装備した超高真空走査型トンネル顕微鏡の試作とSi(001)表面へのAl吸着初期過程の観察
- 27a-P-8 "4Hb-TaS_2のCDW'SにおけるSTM像の電圧依存性"
- 27a-P-7 UHV-STMによるSi清浄表面の観察
- 走査型トンネル顕微鏡の探針微動機構(固体アクチュエータ)
- 化合物半導体表面研究用UHV-STM装置の開発
- 原子間力顕微鏡を用いたけい酸エステルとオゾンの科学気相堆積プロセスの分析
- 28a-R-11 STS/STMによる超伝導エネルギーギャップ分布の測定
- 27a-P-9 STS/STMによる層状物質の局所状態密度関数の測定
- 28a-D-4 STMによる2Ha-NbSe_2の原子像観察
- 6a-T-4 Si(111)劈開面のSTM観察
- 走査型トンネル顕微鏡による原子像と電子状態
- 28a-D-3 原子像観察のためのSTM装置
- 27a-HF-6 有機超伝導体 (TMTSF)_2ClO_4の臨界磁場Hc_2の冷却速度依存性
- 28p-A-1 AlGaAs/GaAs三重障壁構造の共鳴トンネル効果
- 30a-ZF-4 Si(111)表面上のステップ間相互作用の実時間観察
- 29p-BPS-39 Si(111)原子ステップ移動の実時間STM
- 29p-BPS-38 高温STMによるSi(111)傾斜表面上の再配列構造の観察
- 27p-E-5 STMによるSi(111)傾斜表面上での相転移観察
- 27p-E-4 Si(111):1x1-7x7相転移の実時間STM
- 2a-D-6 GaAs/(AlAs)_n/GaAs単一量子壁のラマン散乱
- 3a-F-17 GaAs:Si/AlAs超格子の磁気抵抗
- 1a-LD-9 GaAs:Cr における超音波緩和吸収
- 2a-T-8 Si(111)劈開面のSTM像と構造モデル
- P-20 a-Si,a-Si : Hの弾性表面波伝播(ポスター・セッション)
- 1a-H-10 Si(111)表面における水素脱離 : STM実時間観察
- 25a-Y-11 Si(111)表面の水素脱離過程 : 中間温度域の√×√-R30
- 24p-R-2 STMによるSi成長表面の研究
- D-9 光音響分光測定によるGaAs中のCr不純物状態の研究(音波物性II)
- D-4 水晶のブリルアン散乱(音波物性I)
- 30a-C-12 BiUO_4の高温における弾性定数
- 1a-C-4 正方晶系結晶における音速の角度変化
- F-1 高温におけるBiVO_4のブリルアン散乱(一般講演)
- C-4 光音響分光法による有機金属の反射率測定(一般講演)
- III 光音響分光(招待講演)
- 3p-NM-7 PASによる有機金属の反射率測定
- 31p-RC-6 PASにおける界面熱抵抗効果
- マイクロホン検出による半導体の光音響信号
- 3-21 高抵抗GaAsの光音響スペクトル(一般講演)
- 1p-D-4 GaAs:Crにおける室温での光音響分光
- 5a-D-2 GaAs:Crにおける磁気音響吸収
- 4p-U-6 強磁場下のGe:Gaにおける超音波共鳴吸収
- 4p-M-7 GaAs:Crにおける磁気音響吸収
- 12a-F-5 GaAs:Crにおける超音波吸収
- 12a-H-5 p-HgTeの縦磁気音響効果
- 光照射MIS構造を用いたシリコン基板の電気特性の測定--主として少数キャリアの拡散長の測定 (半導体デバイス特集-7-大陽電池-1-)
- 3次元ICの構想
- 高効率結晶シリコン太陽電池研究の最近の進歩
- 技術革新進むパワ-MOS・FET
- MOSテクノロジ- (フュ-チャ-・エレクトロニクス)
- 抵抗ゲ-ト形可変抵抗素子 (半導体デバイス特集-6-)
- 多結晶シリコン太陽電池の出力特性とその評価法 (半導体デバイス特集-7-大陽電池-1-)
- 少数キャリア拡散長の照射光強度・波長依存性 (半導体デバイス特集-7-大陽電池-1-)
- SnO2/n-Si太陽電池 (半導体デバイス特集-7-大陽電池-1-)
- 太陽電池の開発状況と半導体デバイス研究室における要素技術開発 (半導体デバイス特集-7-大陽電池-1-)
- 太陽電池の最近の進歩 (エネルギ-技術講演特集)
- 太陽電池--スペクトル応答特性について
- n-nヘテロ接合形SnO2/n-Si太陽電池
- シリコン太陽電池の動作点とスペクトル感度
- 低周波GD法によるa-Si:H膜成長--放電電源周波数依存性
- ノンプレ-ナ形DSA-MOSトランジスタの試作とその特性 (半導体デバイス特集-6-)
- 低周波GD法によるa-Si : H膜成長 : 放電電源周波数依存性
- 9aWD-13 酸化物磁性体(Ba1-xSrx)2Zn2Fe12O22の超交換相互作用(酸化物一般・フラストレーション系(酸化物・化合物・かごめ格子),領域3)
- 31p-A10-8 酸化物半導体Bi_SiO_の光吸収温度変化(31p A10 半導体(光物性),半導体)