モノシランの低周波グロ-放電分解を用いたアモルファスシリコンの成長 (半導体デバイス特集-8-太陽電池-2-)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 電子技術総合研究所の論文

著者

• 林 豊

  ソニー

• 林 豊

  電総研

• 佐藤 正明

  山光社

• 山中 光之

  産総研

• 山中 光之

  電総研

関連論文

• アモルファスシリコン太陽電池の信頼度予測
• 微弱光応答解析による太陽電池の等価回路パラメ-タの抽出 (太陽電池-4-)
• 高効率太陽電池キャストシリコン結晶のキャラクタライゼ-ション (太陽電池-4-)
• 光照射グロ-放電分解法における照射光波長がa-Si:Hの光特性変化へ与える影響 (太陽電池-4-)
• 光照射グロ-放電分解法で作成した水素化アモルファスシリコンの特性-1- (太陽電池-4-)
• 水銀プロ-ブ法によるシリコンウエハの少数キャリア寿命の評価 (太陽電池-4-)
• 太陽電池の開発状況と将来展望 (太陽電池-4-)
• 太陽電池超高効率化の必要性と可能性 (新型太陽光発電システムの研究)
• モノシランのグロ-放電分解によるa-Si:Hの成長表面への可視光の照射効果
• MOSトランジスタ負荷MOS集積回路の基礎設計理論とその高速化について
• モジュ-ル構造におけるPhoton Collection Enhancementとレファレンス太陽電池の適正構造 (半導体デバイス特集-9-太陽電池-3-)
• シリコン太陽電池材料の少数キャリア寿命測定 (半導体デバイス特集-9-太陽電池-3-)
• 単結晶薄膜太陽電池の試作 (半導体デバイス特集-9-太陽電池-3-)
• 金属基板上のアモルファスシリコン太陽電池 (半導体デバイス特集-9-太陽電池-3-)
• 太陽電池開発の展望 (半導体デバイス特集-9-太陽電池-3-)
• 超低速電圧ランプ波駆動によるアモルファスシリコンダイオ-ドの容量測定の妥当性 (半導体デバイス特集-8-太陽電池-2-)
• モノシランの低周波グロ-放電分解を用いたアモルファスシリコンの成長 (半導体デバイス特集-8-太陽電池-2-)
• 低周波グロ-放電分解における直流電極バイアスのアモルファスシリコンの成長速度と膜質に与える影響 (半導体デバイス特集-8-太陽電池-2-)
• 分光ビ-ム誘起電流法(MBIC法)による多結晶Si結晶粒界の評価 (半導体デバイス特集-8-太陽電池-2-)
• 太陽電池研究開発の動向 (半導体デバイス特集-8-太陽電池-2-)
• 薄鋼板引張試験片の形状および寸法効果について
• 24p-M-5 GaAs中に埋め込まれたSi超薄膜のラマン散乱
• 電圧印加による薄膜シリコンの成膜 (特集:太陽電池5)
• in-situ水素化熱CVD a-Si:H (特集:太陽電池5)
• 透明導電膜/絶縁膜/半導体構造の低界面準位化 (太陽電池-4-)
• 薄膜結晶シリコン太陽電池の最適設計 (半導体デバイス特集-8-太陽電池-2-)
• ボロンナイトライドによるボロンのシリコンへの拡散-1- (半導体デバイス特集-6-)
• 27aRB-4 a-Si(H)中の結合水素に及ぼす光照射効果2(27aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21aRB-3 a-Si(H)中の結合水素に及ぼす光照射効果(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24pYF-10 a-Si(H)脱水素スペクトルの紫外光照射効果(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 22pTD-6 a-Si(H)の内部摩擦と脱水素スペクトルの光照射効果(格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 19pXB-8 α-Si(H)のTDS(脱水素)スペクトルの光照射効果(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 26aYK-4 a-Si(H)の光誘起構造変化(26aYK 格子欠陥・ナノ構造(アモルファス・転位・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28pXD-2 弾性測定によるa-Si(H)の光照射効果(II)(28pXD 格子欠陥,ナノ構造(半導体・炭素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28aXT-9 水素をプローブとしたa-Si(H)のアモルファス構造に関する研究(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
• 31pYG-10 弾性測定による a-Si (H) の光照射効果に関する研究
• 光照射MIS構造を用いたシリコン基板の電気特性の測定--主として少数キャリアの拡散長の測定 (半導体デバイス特集-7-大陽電池-1-)
• 2重ゲート構造によるMOSトランジスタの短チャネル化
• 半導体デバイスとその動向
• 固体素子コンファレンス(第2回国際会議)におけるIC関係の講演
• デバイスの極限寸法化とその特性 (電子工学における微細加工技術とその応用)
• 絶縁ゲ-ト雪崩トランジスタIGAT (半導体デバイス特集-6-)
• DSA-MOSトランジスタの静特性
• 3次元ICの構想
• 薄膜太陽電池 (太陽光発電の現状と将来)
• 高効率結晶シリコン太陽電池研究の最近の進歩
• 技術革新進むパワ-MOS・FET
• MOSテクノロジ- (フュ-チャ-・エレクトロニクス)
• 抵抗ゲ-ト形可変抵抗素子 (半導体デバイス特集-6-)
• 多結晶シリコン太陽電池の出力特性とその評価法 (半導体デバイス特集-7-大陽電池-1-)
• 少数キャリア拡散長の照射光強度・波長依存性 (半導体デバイス特集-7-大陽電池-1-)
• SnO2/n-Si太陽電池 (半導体デバイス特集-7-大陽電池-1-)
• 太陽電池の開発状況と半導体デバイス研究室における要素技術開発 (半導体デバイス特集-7-大陽電池-1-)
• 太陽電池の最近の進歩 (エネルギ-技術講演特集)
• 太陽電池--スペクトル応答特性について
• n-nヘテロ接合形SnO2/n-Si太陽電池
• シリコン太陽電池の動作点とスペクトル感度
• 低周波GD法によるa-Si:H膜成長--放電電源周波数依存性
• ノンプレ-ナ形DSA-MOSトランジスタの試作とその特性 (半導体デバイス特集-6-)
• 低周波GD法によるa-Si : H膜成長 : 放電電源周波数依存性
• 光照射グロ-放電分解法で作成した水素化アモルファスシリコンの特性-2-
• 透明導電膜とアモルファスシリコン太陽電池 (半導体デバイス特集-8-太陽電池-2-)
• 低周波GD法によるa-Si:H膜成長--放電電源周波数依存性 (半導体デバイス特集-7-大陽電池-1-)
• 25pWE-8 a-Si(H)の光照射効果に関する擬弾性測定(25pWE 領域,領域10合同アモルファス,不純物・格子欠陥,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク