山中 光之 | 産総研
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概要
関連著者
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山中 光之
産総研
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坂田 功
産総研
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水林 博
筑波大物質工
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谷本 久典
筑波大数理物質
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水林 博
筑波大数理
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水林 博
筑波大物質
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谷本 久典
筑波大物質
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谷本 久典
筑波大物質工
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水林 博
筑波大物質:mpi金属研
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林 豊
ソニー
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新井 秀俊
筑波大数理物質
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新井 秀俊
筑波大物質工
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河西 公美
筑波大物質工
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谷本 久典
筑波大物質エ
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水林 博
筑波大数理物質
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林 豊
電総研
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佐藤 正明
山光社
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日沼 哲也
筑波大物質
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谷本 久典
筑波大数理
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山中 光之
電総研
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柳 義己
筑波大物質
著作論文
- 光照射グロ-放電分解法における照射光波長がa-Si:Hの光特性変化へ与える影響 (太陽電池-4-)
- 光照射グロ-放電分解法で作成した水素化アモルファスシリコンの特性-1- (太陽電池-4-)
- モノシランのグロ-放電分解によるa-Si:Hの成長表面への可視光の照射効果
- モノシランの低周波グロ-放電分解を用いたアモルファスシリコンの成長 (半導体デバイス特集-8-太陽電池-2-)
- 低周波グロ-放電分解における直流電極バイアスのアモルファスシリコンの成長速度と膜質に与える影響 (半導体デバイス特集-8-太陽電池-2-)
- in-situ水素化熱CVD a-Si:H (特集:太陽電池5)
- 27aRB-4 a-Si(H)中の結合水素に及ぼす光照射効果2(27aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21aRB-3 a-Si(H)中の結合水素に及ぼす光照射効果(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24pYF-10 a-Si(H)脱水素スペクトルの紫外光照射効果(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 22pTD-6 a-Si(H)の内部摩擦と脱水素スペクトルの光照射効果(格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 19pXB-8 α-Si(H)のTDS(脱水素)スペクトルの光照射効果(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 26aYK-4 a-Si(H)の光誘起構造変化(26aYK 格子欠陥・ナノ構造(アモルファス・転位・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 28pXD-2 弾性測定によるa-Si(H)の光照射効果(II)(28pXD 格子欠陥,ナノ構造(半導体・炭素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 28aXT-9 水素をプローブとしたa-Si(H)のアモルファス構造に関する研究(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 31pYG-10 弾性測定による a-Si (H) の光照射効果に関する研究
- 25pWE-8 a-Si(H)の光照射効果に関する擬弾性測定(25pWE 領域,領域10合同アモルファス,不純物・格子欠陥,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))