27aRB-4 a-Si(H)中の結合水素に及ぼす光照射効果2(27aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2009-03-03

著者

• 水林 博

  筑波大物質工

• 水林 博

  筑波大数理物質

• 谷本 久典

  筑波大数理物質

• 坂田 功

  産総研

• 新井 秀俊

  筑波大数理物質

• 山中 光之

  産総研

• 水林 博

  筑波大数理

• 谷本 久典

  筑波大数理

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