坂田 功 | 産総研
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概要
関連著者
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坂田 功
産総研
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山中 光之
産総研
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水林 博
筑波大物質工
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谷本 久典
筑波大数理物質
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水林 博
筑波大数理
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水林 博
筑波大物質
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谷本 久典
筑波大物質
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谷本 久典
筑波大物質工
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水林 博
筑波大物質:mpi金属研
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新井 秀俊
筑波大数理物質
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林 豊
ソニー
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水林 博
筑波大数理物質
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新井 秀俊
筑波大物質工
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河西 公美
筑波大物質工
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谷本 久典
筑波大数理
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谷本 久典
筑波大物質エ
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日沼 哲也
筑波大物質
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柳 義己
筑波大物質
著作論文
- 光照射グロ-放電分解法における照射光波長がa-Si:Hの光特性変化へ与える影響 (太陽電池-4-)
- 光照射グロ-放電分解法で作成した水素化アモルファスシリコンの特性-1- (太陽電池-4-)
- モノシランのグロ-放電分解によるa-Si:Hの成長表面への可視光の照射効果
- in-situ水素化熱CVD a-Si:H (特集:太陽電池5)
- 23pWZ-14 a-Si(H)の光照射誘起脱水素の現象と機構(23pWZ 格子欠陥・ナノ構造(金属,点欠陥,シュミレーション),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 27aRB-4 a-Si(H)中の結合水素に及ぼす光照射効果2(27aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21aRB-3 a-Si(H)中の結合水素に及ぼす光照射効果(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24pYF-10 a-Si(H)脱水素スペクトルの紫外光照射効果(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 22pTD-6 a-Si(H)の内部摩擦と脱水素スペクトルの光照射効果(格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 19pXB-8 α-Si(H)のTDS(脱水素)スペクトルの光照射効果(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 26aYK-4 a-Si(H)の光誘起構造変化(26aYK 格子欠陥・ナノ構造(アモルファス・転位・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 28pXD-2 弾性測定によるa-Si(H)の光照射効果(II)(28pXD 格子欠陥,ナノ構造(半導体・炭素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 28aXT-9 水素をプローブとしたa-Si(H)のアモルファス構造に関する研究(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 31pYG-10 弾性測定による a-Si (H) の光照射効果に関する研究
- 25pWE-8 a-Si(H)の光照射効果に関する擬弾性測定(25pWE 領域,領域10合同アモルファス,不純物・格子欠陥,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))